浙江省2010年7月自学考试线性电子电路试题.docVIP

浙江省2010年7月自学考试线性电子电路试题 课程代码：02340 一、填空题(本大题共10小题，每小题1分，共10分) 请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 1.在N型半导体中，掺入_________价杂质元素。 2.半导体中有_________和空穴两种载流子。 3.晶体三极管工作在放大状态时，其发射结应正偏，集电结应_________。 4.PNP型晶体三极管处于放大状态时，三个电极中_________极电位最高。 5.N沟道MOS管，VGS越向正值方向增大，ID越_________。 6.MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和_________两种类型。 7.与共发、共集组态相比较，共基组态的输入电阻较_________。 8.晶体管放大电路的非线性失真分为饱和和_________两种。 9.希望增大放大电路的输入电阻并稳定输出电流，应引入_________负反馈。 10.某一放大电路，其信号源内阻很大，应引入_________负反馈电路，才能使反馈更加有效。 二、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.当PN结外加正向电压时，阻挡层的宽度将( ) A.增大 B.减小 C.不变 D.近似不变 2.当PN结反向工作时，其结电容主要是( ) A.势垒电容 B.扩散电容 C.平面电容 D.势垒和扩散电容并存 3.晶体三极管工作在饱和区时，要求( ) A.发射结正偏，集电结反偏 B.发射结正偏，集电结正偏 C.发射结反偏，集电结反偏 D.发射结反偏，集电结正偏 4.三极管的ICEO大，说明其( ) A.工作电流大 B.击穿电压高 C.寿命长 D.热稳定性差 5.结型场效应管的基本工作原理是( ) A.改变导电沟道中的载流子浓度 B.改变导电沟道中的横截面积 C.改变导电沟道中的有效长度 D.改变导电沟道中的体积 6.衡量场效应管控制能力的主要参数是( ) A.电流放大倍数 B.电压放大倍数 C.跨导 D.转移电阻 7.有两个放大电路Ⅰ和Ⅱ，其|Av|都为100，它们分别与具有相同内阻的电压源连接后，测得V01=4.85V,V02=4.95V，由此得知电路Ⅱ比Ⅰ好，因为它的( ) A.放大倍数大 B.输入电阻高 C.输出电阻小 D.频带宽 8.在差动放大电路中，共模输入信号等于两个输入信号的( ) A.和值 B.差值 C.迭加 D.平均值 9.已知某一放大器的A=100，现要求引入负反馈后，增益Af=10，问反馈系数kf应为多少?( ) A.0.01 B.0.05 C.0.09 D.0.10 10.反馈量是指( ) A.反馈网络从放大电路输出回路中取出的信号 B.反馈到输入回路的信号 C.前面两信号之比 D.前面两信号之差 11.稳压二极管正常工作时，它处在______状态。( ) A.截止 B.击穿 C.导通 D.不定 12.已知三极管的ICQ=1mA，则在常温下跨导gm为( ) A.19.2ms B.38.5ms C.77ms D.154ms 13.已知场效应管的λ=0.01，IDQ=1mA，则rds为( ) A.10kΩ B.50kΩ C.100kΩ D.200kΩ 14.下列哪个答案不是共集电极电路的特点？( ) A.输入电阻很高 B.电压增益约为1 C.输出电阻很低 D.输入输出电压反相 15.某放大电路的增益为105，则折算成dB数为( ) A.60dB B.80dB C.100dB D.120dB 三、简答题(本大题共3小题，每小题5分，共15分) 1.设图三（1）所示电路中的三极管为硅管，β=40，试分析三极管工作于什么状态？ 图三（1） 2.MOS场效应管的转移特性如图三（2）所示，试判断该场效应管的类型，确定开启电压，并写出饱和区的条件。 图三（2） 3.试比较图三（3）所示电流源电路，试指出在一般情况下，哪种形式的电路更接近理想恒流源？哪个电路受温度影响更大些？ 图三（3）（a） 图三（3）（b） 四、分析计算题(本大题共5小题，每小题9分，共45分) 1.放大电路如图四（1）所示，已知VCC=12V，Re=4kΩ，RL=2kΩ，RB=200kΩ，RC=50Ω，VBE