七半导体电子论.pptVIP

第七章 半导体电子论;本征光吸收：光照可以激发价带的电子到导带，形成电子 －空穴对的过程。;;;在四价元素（硅或锗）半导体中掺入少量（约十亿分之一）五价元素（磷或砷）杂质原子，可构成n型半导体。;;;受主能级;;;;§7－3 半导体中电子的费米统计分布;－说明在导带中的能级，平均讲是空的，被电子占据的几率很小。; 因为空穴所占状态的E越低，表示空穴能量愈高，—上式说明空穴几率随能量按玻耳兹曼统计的指数规律减少。;二、EF和载流子浓度;令有效能级密度：;两式相乘，有：;E--ED代表导带底施主能级的能量差，即施主的电离能。;其解为：;—极限相当于只有很少部分施主电离的情况。;（3）在受主浓度为NA的p型半导体中，同理可得;根据特点，在本征激发为主的情况下：;§7－4电导和霍耳效应;与电学 比较，可知;有效质量（加速作用）;二、霍耳效应：;使空穴沿x方向运动时还产生一个向－y方向的运动，这种横向运动将造成半导体片两边电荷积累，从而产生一个沿y方向的电场Ey。当平衡时，fe＝fm，空穴恢复沿x方向运动：; 由于霍耳系数与载流子数目（n，p）成反比，因此半导体的霍耳效应比金属强得多，由RH的测定可以直接测得载流子密度，而且由它的符号可以确定是空穴还是电子导电。;§7－5非平衡载流子;非平衡载流子;复合以一定固定的几率发生，即单位时间、单位体积复合的数目为：;§7－6 p－n结;二、p－n结的能带图;p型相对于n型电势低，p型导带中的电子比n型导带中的电子有较高能量差为;－;，使阻挡层加厚，势垒变高，N区中; pn结阻挡p区空穴移到n区，阻挡n区电子移到p区，当光入射时，产生电子－空穴对，空穴被移向p区，p区中少数电子被移向n区，结果p区和n区各自比原来动态平衡下多出一些空穴和电子，即p区积累较多正电荷，n区积累较多负电荷，产生光生电动势。若将外电路接通就有电流，这就是光生伏特效应－利用它可制太阳能电池。