高速连续电镀技术在集成电路引线框架生产中的应用.pdfVIP

维普资讯 C 尸『C ll}善ll}露与I4；蓑 论文选编 誊级技师论文选登 藏 鲤濯 壅 窜哟窟周 深圳市科路迪机械设备有限公司，，任卫焕 【文 】 【摘 要 】本文主要介绍 了集成电路塑封 引线框架高 C芯片 卷对卷连续电镀的工艺特点及方法，并对局部点镀技术及 C引线框架 线框架高速镀银的工艺条件进行了分析探讨 粘片 (即把lC芯片焊接到引线框架的装片区) I+一 金丝 【关键词 】集成电路引线框架、高速镀银、点镀 ● 压焊 (即用纯金丝将1C芯片与lC框架的引线脚焊接在一起) Abstract：The paperintroduced the technology ’I+一_塑封料 )intofthe reel—to—reelhigh speed Plating ProcesS 塑料封装 (即将焊接好的芯片用专门塑封料包封起来 ) r1C Lead Frame．and diSCUSsed the SpotPlating i 9thod and the operating param eters ofhigh speed 切筋 、打印 (切断框架多余的连接筋，打印标签 ) verPlatingProcesS i Key words：IC Lead Frame．High SPeed SiIver 检测 (测量 电参数 ) ating，SpotPlating i lc成品管 引言 ： 方法，本文主要针对lC引线框架的高速连续局部镀银的技 近年来 ，电子信息产业得到了迅猛的发展 ，这其中与 术及工艺条件进行一些简单介绍。 成 电路技术发展的贡献是密不可分的。我国由于近年来 2．1C引线框架电镀的工艺特点及方法 ： 行了对高新技术产业进行积极 引导 、扶持的发展策略 ， 得lC产业在短短几年问有 了空前的发展 ，不仅在lC前道 2．1．1OgI线框架 的镀层特点 ： 产 (芯片设计 、芯片制造 )上达到了一定的水平 、培养 2．1．1．镀层纯度及厚度 ：为了保证有 良好的可焊性 ，要求 一 批人才，而且在1C元件的后道生产 (塑料封装 )上通 镀银层的纯度Ag≥999％，厚度要达到i3．5um。 引进国91、先进技术及设备 ，已使我们与国际同行间的差 2．1．2．镀层外观 ：镀银层表面要均匀、细致 ，表面不得有 迅速缩小，我国正逐渐成为一个国际上重要的集成电路 粗糙 、沾污、氧化现 象。镀银层光亮度一般控制在半光 器件生产基地。 亮。光亮度过高，则镀层的内应力、硬度 、熔点都会偏高 ， 要生产一个集成 电路元件 ，除了需要lC芯片外 ，还需