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用于量子化霍尔电阻标准的GaAsAlGaAs异质结二维电子气结构.pdf
第31卷第6期 计 量 学 报 6
V01．31，No
ACTA
2010年11月 METROLOGICASINICA
doi：10．3969／j．issn．1000—1158．2010．06．15
用于量子化霍尔电阻标准的
GaAs／A1GaAs异质结二维电子气结构
钟 源1， 贺 青1， 钟 青1， 鲁云峰1， 赵建亭1， 王文新2， 田海涛2
(1．中国计量科学研究院电学与量子所，北京1000135
2．中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室，北京100190)
摘要：设计并利用分子束外延生长了GaAs／AIGaAs异质结结构，以制作应用于中国电阻基准的量子化霍尔电
阻器件。报道了这种制作量子化霍尔电阻器件的步骤及结果，讨论了利用77K下二维电子气的载流子浓度和迁
移率数据初步判断其是否适合用于量子化霍尔电阻标准的方法和该方法的局限性。
关键词：计量学；量子化霍尔电阻标准；GaAs／AIGaAs异质结；二维电子气
中图分类号：TB971 文献标识码：A 文章编号：1000一1158(2010)06-0543-04
GaAs-AlGaAsHeterOstructuresfor
QuantizedHallResistanceStandardtheNIM
by
ZHONGYuan
1，HE
Qin91，ZHONGQin91，LUYun．fen91，
ZHAO Hai．ta02
Jian．tin91，WANGWen—xin2，TIAN
Instituteof
(1．National Metroiogy，Beijing100013，China；
2．Instituteof of
Physics，ChineseAcademy 100190，China)
Sciences，Beijing
ordertofabricate Halldevicesforresistance
Abstract：In quantum metrology
heterostructureswithtwodimensionalelectron and MolecularBeam
gases(2DEG)aredesignedgrown
speciaUy by Epitaxy
fabricationandmeasurementresultsaredescribed．A criteriafor an
(MBE)system．Deviceprocess preliminary selecting
itscarrierconcentrationand under77Kis limi
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