使用l-edit画反相器的布局图.pptVIP

(27)连接栅极Poly：由于反相器电路的pmos 与nmos 的栅极是要相连的，故直接以Poly图层将pmos 与nmos 的Poly 相连接，绘制出Poly 宽2个格点、高6 个格点，如图所示。绘制后进行检查，没有错误。 (28)连接漏极：由于反相器电路的nmos 漏极与pmos 漏极是要相连的，则以Metal1 连接即可，利用Metal1 将图中的nmos 与pmos 的右边扩散区有接触点处相连接，绘制Metal1 宽4个格点、高11个格点，如下图 所示。绘制后进行检查，没有错误。 (29)绘制电源线：由于反相器电路需要有Vdd 电源与GND 电源，电源绘制是以Metal1图层表示，利用Metal1 将图中pmos 上方与nmos 下方各绘制一个宽为39 个格点、高为5 个格点的电源图样，绘制后进行检查，没有错误，如图所示。 (30)标出Vdd 与GND 节点：单击插入节点按钮 ，再到编辑窗口中用鼠标左键拖曳出一个与上方电源图样重叠的宽为39 个格点、高为5 个格点的方格后，将出现Edit Object(s)对话框，如图所示。 在Port name 文本框中输入节点名称“Vdd”，在Text Alignment 选项组中选择文字相对于框的位置的右边，单击“确定”按钮。再单击按钮，再到编辑窗口中用鼠标左键拖曳出一个与下方电源图样重叠的宽为39 个格点、高为5 个格点的方格后，出现Edit Object(s)对话框，首先需先确定最上方的On 下拉列表框选择的是Metal1，接着在Portname 文本框输入节点名称“GND”，在Text Alignment 选项组选择文字相对于框的位置的左边，再单击“确定”按钮，结果如图所示。 (31) 连接电源与接触点：将PMOS 的左边接触点Basecontactp 的接触点利用Metal1图层与Vdd 电源相连接，而将NMOS 的左边接触点与Basecontactn 的接触点利用Metal1 层与GND 电源相连接。在Layers 面板中的下拉列表中选择Metal1 项，使Metal1 样被选取，再从Drawing 工具栏中选择工具，在Cell0 辑窗口画出4 个4 格高、3 格宽的方形Metal1 层，如图所示 (32) 加入输入端口：由于反相器有一个输入端口，且输入信号是从闸极(Poly)输入，由于此范例使用技术设定为MOSI／Orbit 2U SCNAMEMS，输入输出信号由Metal2 传入，故一个反相器输入端口需要绘制Metal2 图层、Via 图层、Metal1 层、Poly ontact 图层与Poly 图层，才能将信号从Metal2 图层传至Poly 层。先在编辑窗口空白处进行编辑，最后再移至整个组件的位置。先绘制Poly Contact 图层（2,2），再绘制Poly 图层（5,5），接着绘制Metal1 图层（10,4）使之重叠于Poly Contact 图样上，接着在Metal1 上要绘制Via 图层（2,2），Via 图层是用来连接Metal1 图层与Metal2 图层的接触孔，接着绘制Metal2 图层（4,4),它要与图层Via 与Metal1 重叠。如图所示： （33）将绘制结果利用局部设计规则检查按钮可进行局部的设计规则检查，方法为单击按钮 ，利用鼠标左键拖曳出要检查的地方，如刚才绘制的图，即可进行局部设计规则检查。 （34）可将此输入端口图形群组起来，先用选取按钮选取如图 所示的布局部分，再选择Draw—Group 命令，会出现Group 对话框。在Group CellName 文本框中命名此群组的一个组件名称，之后单击OK 按钮。 （35）将port A 部分移至反相器栅极的位置当成输入端口，结果如图所示。注意，在放置时Metal1 与Metal1 之间要距离3 个格点以上，并要以设计规则检查无误才可。 （36）要将加入的port A 组件加入节点名称作为输入点，需利用加入节点按钮。单击按钮，再在Layers 面板的下拉列表中选择Metal2 选项，使Metal2 图样被选取，再到编辑窗口中用鼠标左键拖曳出一个与port A 组件的Metal2 图样重叠的宽为4 个格点、高为4 个格点的方格后，会出现Edit Object(s)对话框， 在Port name 文本框输入输入端口名称“A”，在Text Alignment 选项组选择文字相对于框的位置的左边，再单击“确定”按钮，结果如图所示 （37）加入输出端口：反相器有一个输出端口，输出信号是从漏极输出。先绘制Via 图层，在Metal1 图层上画出横向2格、纵向2格的方形，接着绘制横向4格、纵向4格的Metal2 图层，它要与Via 与Metal1 图层重叠