NaOH-Na2SiO3-Na2WO4体系下负向电压对ZAlSi12Cu2Mg1微弧氧化膜特性及组织的影响.pdfVIP

草 36 ，量 增刊3 稀有金属材料与工程 Vo1.36, Suppl.3 2007 年 9 月 R.ARE METAL脚1ATERlALS AND ENGINEE町NG September 2007 二 NaOH-Na2Si03-Na2W04 体系下负向电压对 ZAlSi12Cu2Mgl 微弧氧化膜特性及组织的影晌 刘永珍，刘向东，王晓军，韩春霞，竟IJ 彩之 (内董古工业大学材制科学与工程学院，内蒙古呼和浩特 01∞51) 摘 重z 主流电源中负 1句电压对铝合金微弧氧化陶置腹形成过程且其组织性能再重要晌.本主研究了在 NaOH-Na2Si03-Na2W04 电解班体累下负向电压对 ZAISiI2Cu2Mgl 铸造铝含金做弧氧化陶哇膜厚度、硬度及矗面罩貌的罪 响.试验中，负向电压从 85 V 到 110 V 变化，利用电祸施测厚仪测量陶E膜的厚度，用显徽硬度计测量陶茸膜瞌面的显 微硬度，井进行矗面形貌现事.试验结果表明z 负向电压的提高，有利于陶瓷膜厚度和显幢幢度的增加，恒负向电压达到 一个极限值后，陶置膜茬面变粗糙，甚至烧蚀，膜层与基体结合变辈，陶宦膜中开始出现型纹，显描硬度下降s 在负向电 压为适合值 95 V 时，得到的陶置腹厚度为 110 阳口，显微硬度为 8810MPa (HV讪同时，括陶瓷膜厚度万向，从陶茸模与 基体结合界面到陶瓷膜表层，显微硬度呈现先用加后降低的趋势，在致密层中显微硬度存在 个最太值. 是键词z 徽弧氧化g 负向电压; ZAISîJ2C1l2Mgl; 陶量膜 中圄洁分提号军 TG 174.4 立献悻识码 A 立章编号: I002-185X(2007)S3-134-04 氧化陶瓷膜.并对陶瓷膜的厚度、硬度、截面形貌等 1 引言 进行分析，以研究负闻电压对橄弧氧化陶瓷膜的厚度、 显做硬度及膜层截面形貌的影响规律，为微弧氧化技 铝及其合金具有质量轻、比强度高等优异特性， 术在铸造铝合金广泛应用奠定基础. 已广泛应用于航空、航天及民用工业中，成为发展国 民经济的重要基础材料.但其缺点是表面硬度低、耐 2 实验方法 磨性较差.通过近些年来兴起的微弧氧化技术 (Microarc Oxidation，简称为 MAO). 在铝及其合金 2. 1 试验材料及试验装置 试验材料为 ZAISiI2Cu2MgI 合金，其化学成分 表面产生等离子微弧放电，产生微区局部高温，利用 高温烧结作用，在金属及其合金表面原位壁长具有一 为， (1 1.00←13.010) 剖， (1.0号俨-3.0%) CU , (0.4%户.1 醉心 定厚度和硬度的陶瓷膜，可以显著提高其表面硬度及 Mg , (0.3o/..-{).9%) Mn , 0.7%Fe，其官为 AI. 试样 耐磨性等性能[1-41 ，从而进一步扩展其应用领域.目 尺寸为 40mmX20mmX3 皿皿. 试验采用哈尔滨工业大学研制的WHD-30 型交流 前国内对铝合金微弧氧化技术的研究单位有很多，但 脉冲徽弧氧化电源a 试验时，正向工作电压固定为 440 主要集中在对变形铝合金材料的研究上，对铸造铝合 金材料，尤其