NaOH浓度对ZAlSi12Cu2Mg1微弧氧化陶瓷膜形成及其特性的影响.pdfVIP

第36 卷增1J 3 稀有金属材料与工程 Vol.36 , Su:用1.3 2回7 年 9 月 RAREMETAL岛1ATERIALS AND ENGINEERING Septembe.- 2007 NaOH浓度对ZAISi12Cu2Mgl 微弧氧化陶瓷膜形成 及其特性的影晌 刘永珍，刘向东，王晓军，韩春霞，刘彩文 (内辈古工业大学，内蒙古呼和浩特 010051) 摘 要2 在 NaOH-Na2 3 电解砸体革下对 ZAlSi12Cn2Mgl 告金进行橄弧氧化，通过改变NaOH 的浓度研究其对橄弧 Sî0 氧化的临界起弧电压、融现氧化过程中试样表面火花形奋、陶程腹的生长速率及陶置腹厚度的Ii响，结果表明z 随NaOH 班度从05 g/L 到 3， 0 g/L逐渐增姐，微:I1I氧化的临界起弧电压从 420 V 连渐降低到350 V. 陶桂膜的厚度从 138 阻逐 渐增加到 242 阻，陶宦膜的平均生仕速率从2.30 Jlmlmîn 提高到 4， 03 阴阳lß; 当 NaOH 撞度超过2， 0 g/L后，陶量膜表 面要E粗糙，甚至烧蚀; NaOl量的最佳撒度为 2，0 g/L. 主键调 NaOH 浓!l!，撒弧氧化z 起弧电压: ZAlSi 12Cu2Mgl 中固3击分类号 TG ]74 .4 立献韩现码 A 立章编号， 1002-185X(2007)白-599-05 变化对 ZAISí 12Cu2Mg1 合金徽弧氧化陶瓷膜形成过 引言 程及其特性的影响的研究.本研究在 NaOH-Na，SiO， 微弧氧化技术 (Microarc oxi血.tiOD.简称为 MAO) 电解液体系下，通过改变 NaOH 的浓度，在 是一种在 AI. Mg. Tí 等有色金属及其合金表面原位 ZAISí12Cu2MgI 基体上得到了陶瓷膜.并对陶瓷膜的 生长陶瓷膜的表面处理技术(1-3】。官突破了传统阳极氧 厚度、微弧氧化前后的质量差进行检测，研究 NaOH 化工艺对工作电压的限制，将工作电压引到高压放电 浓度的变化对微弧氧化的恼界起弧电压、微弧氧化过 程中火花形貌变化及陶瓷膜的厚度、平均密度等性能 区，在工件表面产生等离于做弧放电，产生微区局部 特点的影响. 高温、高压，利用高温烧结作用，在金属及其合金表 面原位生长陶瓷膜。通过微弧氧化形成的陶瓷膜具有 2 实验方法 离强度、高绝缘阻抗、耐磨、耐蚀、耐高温等优异的 性能，而且微弧氧化技术对环境没有污染，具有广阔 实验材料为ZAlSiI2Cu2Mg1 铸造铝合金，其化学成 的应用前景，目前国内对铝合金橄弧氧化技术的研究 分(质量分数，下同)为， (ILO~←13_0%)Si; (LO~←3_0%) 单位有很事，但主要集中在变形铝合金材料上，对铸 Cu; (OA~←LO%) Mg; (0.30/...0,9%) Mo , 0_7%Fe; 余 造铝合金材料，尤其是吉硅量高的铸造铝合金材料的 量为A1.试样尺寸为 40m皿x20mmx3 mmo 研究相对较少.本研究试图在ZAISí12Cu2Mg1 基体上 采用 WHD-30 型交流徽弧氧化电源(哈尔滨工业 进行微弧氧化处理，得到性能优异的陶瓷膜。 大学研制).试验时，正向和负向工作电压分别固定为