N掺杂对非晶C薄膜的电子结构与光学性质的影响.pdfVIP

第 28 卷，第4 期 光谱学与光谱分析 Vol. 28.No. 4.pp748-751 2008 年 4 月 Spectroscopy and Spectral Analysis April. 2008 N 掺杂对非晶 C 薄膜的电子结构与光学性质的影晌 聂国政1 ， 2 ，邹代峰1 ， 2 ，杨兵初2 ，李宏建2 1.湖南科技大学物理学院，湖南湘潭 411201 2. 中南大学物理科学与技术学院，湖南长沙 410083 摘 要用直流磁控溅射法制备了非晶C 薄膜及N掺杂非晶C(a-C I N)薄膜，用紫外-可见分光光谱仪、椭 圆偏振仪、俄歇电子能谱(AES)等对薄膜进行了检测。结果表明z 随掘气体中 N气含量的增加，透过率和折 射率变小，而光学带隙先增大后减小s 当薄膜中 N 的含量很少.N 的掺入对Sp3 杂化C起稳定作用，使得薄 膜光学带隙E Sp2 键含量，使得薄膜光 N 的掺入抑制了 5 C 的形成，提高了薄膜中 增大。而较高量 扩杂化 g 学带隙变小.参数D定义为俄歇电子能谱(AES)中最大正峰和最低负峰之间的距离，用俄歇电子能谱中的 D值来计算薄膜的SpZ 键的百分含量，俄歇电子能谱(AES)表征也表明:较高量的N 的掺入抑制了 Sp3 杂化 C 的形成。所以应该考虑在较低N分压条件下掺N来改善非晶C 薄膜的光学性能。 关键词 N掺杂非晶C 薄膜E 光学性质;俄歇电子能谱s 电子结构 中图分类号: 0848.4 文献标识码:A 文章编号: 1000-0593 (2008) 04-0748-04 的关系具有重要的研究价值。 本文以Ar气和 N气做工作气体，用直流磁控溅射法沉 引言 积不同掺 N 含量的非晶 C 薄膜样品。采用俄歇电子能谱 近年来，非晶 C 薄膜用作光学保护膜和耐磨涂层被广泛 (AES , Las3000. Riber)分析非晶C 薄膜和掺N 非晶 C 薄膜 的化学键和电子结构，研究其光学性能与N分压的关系. 研究，它的折射率低、造光性好、耐腐蚀，可以用作红外光 学玻璃保护膜、太阳能电池的减反射涂层【1).薄膜性能主要 取决于薄膜的结构，即由石墨相的 s扩键和金刚石相的 Sp3 1 实验方法 键含量比。薄膜的光学带隙宽度取决于5ρ2 键含量[ZJ 因此， 薄膜结构表征和化学键的研究被认为非常重要，目前，计算 实验采用直流控溅射法制备类金刚石薄膜。靶材用纯度 薄膜Sp2 与 Sp3 键比率技术有很多，如用电子能量损失谱 为 99.99%的石墨靶.Ar气和 N 气做工作气体，工作气压为 2 J J (EELS