第五讲：太阳能池效率极限.pptVIP

太阳能电池 工作原理、技术和系统应用;*;复习;1 太阳能发电原理和影响因素;1.1 光的吸收与载流子复合;光子的能量越高，被吸收的位置就越接近半导体表面，较低能量的光子则在距半导体表面较深处被吸收。 ;Resource Characteristics ——地面附近太阳辐射光谱图;The absorption depths of silicon ;单位体积内电子-空穴对的产生率可用下式表示： N为光子的流量（每秒流过单位面积的光子数量），α是吸收系数，x是到表面的距离。 ;在300K时，对于硅材料，α和波长的函数关系;1.1 光的吸收与载流子复合;类似的，载流子的扩散长度就是载流子从产生到复合所能移动的平均距离。对于硅，扩散长度一般是100~300μm。 这两个参数为太阳能电池应用的材料提出参考。 如果没有一个使电子定向移动的方法，半导体就无法输出能量。因此，一个功能完善的太阳能电池，通常需要增加一个整流P-N??来实现。 ;1.2 光照的影响 ;在P-N结电场E的作用下，电子受力向N型一侧移动，空穴受力向P型一侧移动。短路时，在外电路产生光电流。;尽管如此，一部分电子和空穴在被收集之前就已经消失了。 ;总体来说，在P-N结越近的地方产生的电子空穴对越容易被收集。当V=0时，那些被收集的载流子将会产生一定大小的电流。如果电子空穴对在P-N结附近小于一个扩散长度的范围内产生，收集的几率就比较大。 ;在无光照的情况下，描述二极管电流I和电压V间函数关系的特征曲线（I-V曲线）为： 光线的照射对太阳电池的作用，可以认为是在原有的二极管暗电流基础之上叠加了一个电流增量，于是二极管公式变为： ;光的照射对P-N结电流-电压间函数特性的影响 ;I;光照能使电池的I-V曲线向下平移到第四象限，于是二极管的电能可以被获取。 为便于讨论，太阳电池的I-V特性曲线通常被上下翻转，将输出曲线置于第一象限，并用下式表示： ;;用于衡量在一定照射强度、工作温度以及面积条件下，太阳能电池电力输出的两个主要制约参数为： 短路电流（Isc， Short circuit current ） 当电压为零时电池输出的最大电流，Isc=IL。Isc与所接受到的光照强度成正比。 开路电压（Voc， Open circuit voltage ） 电流为零时，电池输出的最大电压。Voc的值随辐照强度的增加成对数方式增长。;I = ISC;I = 0; RS , RSH ;ISC;ISC;ISC; Notice that the area under the rectangle = PMAX for the ideal cell. For this cell, PMAX = VOC ? ISC ;对于I-V曲线上的每一点，都可取该点上电流与电压的乘积，以反映此工作情形下的输出电功率。 填充因子（FF，Fill Factor）是衡量电池P-N结的质量以及串联电阻的参数。 填充因子定义为： 所以： ; ISC , PMAX , VOC ;ISC;补充：最大转换效率为带隙Eg的函数;1.3 光谱响应 ;太阳电池能够响应的最大波长被半导体材料的禁带宽度所限制。当禁带宽度在1.0~1.6eV时，入射阳光的能量才有可能被最大限度地利用。 单独考虑这个因素，就将太阳电池的最大可能转换效率限制在44%以下。 ;光谱响应度;光谱响应度;恒定的电池温度下，不同的辐照度对光生电流密度 和电压输出特性曲线的影响;1.4 温度的影响 ;温度对太阳电池I-V特性的影响 ;1.5 寄生电阻的影响 ;串联电阻主要来源于半导体材料的体电阻、金属接触电阻、载流子在顶部扩散层的输运等。;分流电阻是由于P-N结的非理想性和结附近的杂质造成的，它引起结的局部短路，尤其在电池的边缘部分。 ;2 太阳电池效率和结构设计 ;2.1 太阳电池效率;影响太阳电池效率的因素; 除了材料本身的影响之外，某些损失是由于太阳电池的结构设计引起的，这包括： 反射损失（reflection loss） 表面再结合损失（surface recombination loss） 内部再结合损失（bulk recombination loss） 串联电阻损失（series resistance loss） 电压因子损失（voltage factor loss）;2.2 光学损失 ;减少光学损失方法;四分之一波长的减反膜;使用四分之一波长的减反膜抵消表面反射示意图 ;为了将反射进一步最小化，可以将减反膜的折射率设计为膜两边材料（玻璃和半导体，或空气和半导体）的几何平均值：;Comparison of surface reflection from a silicon so