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2.6 集成化元器件及其特点 2 电路元件制造工艺 基区扩散 发射区扩散 蒸铝 NPN 二、 集成化元器件 1. NPN晶体管 在P型硅片衬底上扩散N＋隐埋层，生长N型外延层，扩散P型基区，N＋型发射区和集电区 3. 二极管 晶体管制作时，只要开路或短路某一PN结即得（如图）: 4. 电阻：（一般有两种） （1）金属膜电阻:温度特性好 （2）扩散电阻，按结构分： 基区电阻: 50?～100K? ?＝±20% 发射区电阻: 1～1000 ? （电阻率低） 窄基区电阻: 电阻率高 10～1000K ?＝±20% 虽集成化电阻阻值误差大，但为同向偏差，匹配误差小（小于3％） 5. 电容 利用SiO2保护层作绝缘介质，用金属板和半导体作电容极板。 电容量与氧化物厚度成反比，与极板面积成正比，单位面积电容量不大，但漏电较小、击穿电压较高。 三 集成化元器件特点 4. 集成电路中寄生参量的存在会引起元件间的寄生耦合，影响电路稳定，使电路产生寄生振荡。 第三章 双极型模拟集成电路的基本单元电路 单管共射放大电路的构成 放大电路的分析方法 频率响应的基本概念 共集放大电路 共基放大电路 电流源电路……… 一、放大的概念 四、 共射极基本放大电路的组成 基本组成如下： 三 极 管T——起放大作用 负载电阻RC 、RL——将变化的集电极电流转换为电压输出。 偏置电路EC、Rb——使三极管有一个合适的静态工作点，从而工作在线性放大区。 耦合电容C1 、C2——隔直，通交。 （一） 放大电路的动态图解分析 1 交流负载线 2 交流工作状态的图解分析 3 最大不失真输出幅度 1 交流负载线 交流负载线确定方法： 1. 通过输出特性曲线上的Q点做一条直线，其斜率为1/RL′。 2 交流工作状态的图解分析 ①波形的失真 ②放大电路的最大不失真输出幅度 放大电路要想获得大的不失真输出幅度，需要： 1. 共射h参数等效电路 4 .放大器工作点稳定问题 由于温度变化?管子参数发生变化? Q漂移，称为温漂。 (一).晶体管参数的温度漂移： (1)晶体管的门限电压Ube的温漂： 温度系数? Ube/ ? t: 锗：-2.1mv/oc; 硅：-2.3mv/oc T??载流子扩散速度? ?基区电流?(复和机会) ? ? ??ICQ? (2)晶体管 的温漂： T??禁带宽度??空间电荷区?? Ube??(IBQ= ( Ec-Ube)/ Rb)??ICQ? (3)晶体管Icbo 的温漂： T??少子运动??ICBQ ??ICQ(= IBQ +(1+ ) Icbo )? 温度系数? / (? t? )=(0.5??1?)/oc 任意温度时Icbo (toc)= Icbo (20oc)?2(t-20)/10 综上所述： T?? ?，ICBO?，Ube ??ICQ= IBQ +(1+ ) Icbo ? 最终导致静态工作点Q升高。 Ui U0 Re IBQ IEQ Ec UE UB (四) 射极偏置电路 Re发射极电阻，提供电流负反馈。 此电路具有稳定工作点的作。 I1 若满足I1IBQ时， 基本不变 稳定工作点的过程： T↑→ ICQ ↑→ IEQ ↑→ UE=IEQRe↑ →UBE=UB-UE ↓ → IBQ ↓ → ICQ ↓ 动画3-5 图中作如下假设： (2). UB 为Rb1. Rb2分压而得 (1).设I1 IbQ， IbQ=0。 (二) 共射偏置电路 分压式电流负反馈稳定偏置电路如图所示:（稳定工作点） 共射偏置电路 （动画3-5） UB I1 图中作如下假设： (2). UB 为Rb1. Rb2分压而得 此电路具有稳定工作点的作用。 (1).设I1 IbQ， IbQ=0。 Rb1和Rb2系偏置电阻。 C1 、C2是耦合电容。 RC是集电极负载电阻。 Re是发射极电阻， Ce是Re的旁路电容。 组成： 1.静态分析 电路的直流通路如图所示： 基本放大电路的直流通路 UCE=Ucc－ICRc－IERe= Ucc－IC(Rc+Re) 静态计算如下： IeQ=(UB －UBE)/ Re UB= Ucc Rb2 / (Rb1+Rb2) IBQ= IeQ /? ICQ? IeQ UB IeQ UCE 2. 动态分析 根据图画微变等效电路，有: 输入电阻： 电压增益： 根据求输出电阻的原理，应将微变等效电路的输入端短路，将负载开路。 在输出端加一个等效的输出电压。 输出电阻Ro: Ro = rce∥RC≈RC 于是: 3. 共射偏置电路没有旁路电容Ce 此时