真空镀膜机在薄膜太阳能市场的调研情况.pdf

真空镀膜机在薄膜太阳能电池行业的市场 调研情况 [在此处键入] 目录 真空镀膜机在薄膜太阳能电池行业的市场调研情况 1 一 太阳能发电基本原理3 二 晶硅太阳能4 三 晶硅太阳能和薄膜太阳能的区别5 四 薄膜太阳能5 五 候选调研公司7 2 [在此处键入] 21 世纪人类社会将面临化石能源日益枯竭的挑战，因此可再生能源越来越 受到重视。太阳能光伏电池技术是可再生能源中最具商业应用价值的技术之一。 太阳能光伏电池是利用半导体材料的伏安特性，将太阳能转化为电能的装置。从 1953 年美国贝尔实验室生产出人类第一块晶硅太阳能电池，到目前为止太阳能 电池已经发展了三个阶段：第一代晶硅太阳能电池：包括单晶硅、多晶硅电池， 它们是太阳能电池市场的主流产品，技术成熟，效率较高，但是生产能耗高，生 产过程污染环境；第二代是薄膜太阳能电池，主要有非晶硅薄膜电池（a-Si ）、碲 化镉薄膜电池（CdTe ）、以及铜铟硒薄膜电池（CIGS ）等，其主要特点是使用了高 吸收率的半导体材料，只需要使用晶硅电池1/100 厚度的薄膜就可以全部吸收太 阳光的可见光部分，因此用量省，耗能低，技术简单，成本更低。第三代是以染 料敏化和有机物材料为代表的更低成本的光伏技术，特点是几乎不用稀有元素和 传统半导体材料，成本有望更低，但是目前仍处于实验室研究阶段。 一 太阳能发电基本原理 太阳能电池是利用太阳光和材料相互作用直接产生电能的器件.能产生光伏 效应的材料有许多种,如:硅系材料(单晶硅、多晶硅、非晶硅),化合物半导体(砷化 镓、硒铟铜)等.它们的发电原理基本相同.此类太阳能电池的工作原理是基于 P-N 结的光生伏打效应:当N 型半导体与P 型半导体通过适当的方法组合到一起时,在 二者的交界处就形成了P-N 结; 由于多数载流子的扩散,形成了空间电荷区,并形成 一个不断增强的从N 型半导体指向P 型半导体的内建电场,导致多数载流子反向 漂移;达到平衡后,扩散产生的电流和漂移产生的电流相等.如果光照在 P-N 结上, 而且光能大于P-N 结的禁带宽度,则在P-N 结附近将产生电子-空穴对. 由于内建电 场的存在,产生的非平衡电子载流子将向空间电荷区两端漂移,产生光生电势,破 坏了原来的平衡.若在电池两侧引出电极并接上负载,负载中就有生电流 通过, 得到可利用的电能,这就是太阳能电池发电的基本原理.若把几十个、数百个太阳 能电池单体串联、并联起来,组成太阳能电池组件,在太阳光的照射下,便可获得输 出功率相当可观的电能。 3 [在此处键入] 二 晶硅太阳能 （1） 切片：采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。 （2 ）清洗：用常规的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或碱）溶液将硅片表 面切割损伤层除去30－50um 。 （3 ） 制备绒面：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。 （4 ） 磷扩散：采用涂布源（或液态源，或固态氮化磷片状源）进行扩散， 制成PN＋结，结深一般为0.3 －0.5um 。 （5 ）周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极 短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。 （6 ）去除背面PN＋结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN＋结。 （7 ）制作上下电极：用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制 作下电极，然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。 （8 ）制作减反射膜：为了减少入反射损失，要在硅片表面上覆盖一层减反 射膜。制作减反射膜的材料有 MgF2 ，SiO2 ，Al2O3 ，SiO ，Si3N4 ，TiO2 ， Ta2O5 等。工艺方法用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD 法或 喷涂法等。但现有技术一般以