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浅谈扩散工艺在半导体生产中的应用 摘 要：扩散工艺是制作半导体的关键结构 PN 结的一种常用方法。本文在介绍了扩散的定义、扩散工艺在半导体生产过程中的 作用原理和应用范围的基础上，从扩散工艺的工艺流程，扩散工艺在 PN 结形成中的作用以及扩散工艺的发展三个方面，探究了 扩散工艺在半导体生产中的应用。 关键词：半导体；扩散工艺；PN 结  1 扩散工艺与半导体 1.1 什么是扩散 扩散是分子运动或涡旋运动所造成的，由一种保守属性或者物质 逐渐向四周扩散和蔓延，物质的微粒由高浓度向低浓度的方向转移，直 至物质在气相、液相、固相或者三种状态之间达到均匀的物理现象。 1.2 扩散在半导体中的作用原理和应用范围 电子晶体学认为扩散是物质内部质点运动的基本方式，当物质所 处环境的温度在绝对零度之上时，所有物质内部的质点都在不断的做 热运动。当物质内的某些物理性质，如浓度、密度、化学位和应力等存在 梯度时，因为热运动的存在，质点将出现定点迁移的现象，这个过程就 是扩散，在宏观上我们看到的就是物质的定向移动。 在半导体中，P 型半导体掺有受主杂质，N 型半导体掺有施主杂 质，PN 结即 P 型和 N 型半导体交界面附近的过渡区域。根据材料的不 同，PN 结分为两种，同质结和异质结，其中同质结指由同一种半导体材 料做成的 PN 结，异质结则是由禁带宽度不同的半导体材料做成的 PN 结。制造 PN 结的方法很多，包括合金法、扩散法和外延生长法等，其中 扩散工艺是国内比较通用的工艺。 2 扩散工艺在半导体生产中的应用 2.1 半导体生产中的扩散工艺流程 在半导体的生产过程中，晶圆的扩散是一道非常重要的工序，一 般在扩散炉内完成，具体的工艺流程如下： 向扩散炉内注入足量的氮气或氧气，使扩散炉的内部一直处 于正压状态。 按照既定的温度工艺曲线，采用电加热的方法使扩散炉内的 温度升高到特定的温度值，此时注意保持炉内处于恒温的状态。 在推拉舟的托盘上，有相关操作人员事先放置的需要扩散的 晶圆，通过推拉装置将其送入到扩散炉内。 再向扩散炉内注入足够的氮气或氧气，保证扩散炉内部处于 正压状态。 按照既定的温度工艺曲线，升高扩散炉内的温度直到特定的 温度值，此时同样要保证扩散炉内部处于恒温的状态。 在保持扩散炉内部处于特定恒温状态的前提下，将各种所要 掺杂的气体注入到扩散炉内。 保持扩散炉内部温度恒定，扩散一定的时间之后，按照既定 的温度曲线对扩散炉内部进行降温处理。 在整个掺杂的过程中，要保证扩散炉炉体内部处于一个特定的恒 温区，才能使晶圆得到充分而均匀的扩散。可见温度控制是扩散工艺中 非常重要的一个环节，温度控制的效果直接决定了半导体扩散的质量。 传统的扩散系统采用基于单片机的仪表仪器实现对扩散炉的控制管 理，但是由于其温度控制精度、自动运行能力以及生产工艺控制能力较 低，导致产品质量不高。目前出现了以 PLC 为控制核心的控制系统，采 Modbu 协议实现模块间的通信，能够实时检测和控制扩散炉的温度 和气体流量，对复杂工艺的温度控制效果具有很大的提高，提高了产品 的质量和生产效率。 由于扩散工艺对半导体的质量影响很大，因此在扩散工艺的工艺 流程中，有几个要点需要加以注意： （1）对扩散炉温度工艺曲线的控制。至少分别对扩散炉的 9 个温度 检查点执行检查、显示和控制操作，及时矫正控制参数。 （2）对气体流量进行检测和控制。在扩散过程中要在炉管内一直通 氮气，保证炉内处于正压状态；要实时检测扩散炉内不同气体的流量和 比例，保证晶圆的扩散质量。 2.2 扩散工艺在 PN 结形成中的应用 扩散工艺在半导体生产中的应用主要体现在对 PN 结形成的作 用。一方面采用扩散工艺可以制作 P 型半导体和 N 型半导体，另一方 面通过扩散工艺也可以将 P 型半导体和 N 型半导体制作成 PN 结。 通过扩散工艺，在纯净的硅晶体中掺杂入硼等三价元素，它会取  代晶格中硅原子的位置，形成 P 型半导体；在纯净的硅晶体中掺杂入磷 等五价元素，它也会取代晶格中硅原子的位置，形成 N 型半导体。在 P 型半导体中，空穴的浓度大于自由电子的浓度，在 N 型半导体中则正 好相反。 通过扩散工艺可以将一块半导体的一边制作成为 P 型半导体，另 一边制作成为 N 型半导体，在 P 型半导体和 N 型半导体相接触的区域 则形成了 PN 结。本文将 P 型半导体和 N 型半导体接触面的偏 P 型一 侧称为 P 区，偏 N 型一侧称为 N 区。当 P 型半导体和 N 型半导体刚刚 接触时，P 区和 N 区的电荷密度为零。P 型半导体和 N 型半导体接触 后，在 N 型半导体一侧，导带中的电子向 P 区扩散，在 P 型半导体一 侧，价带中的空穴向 N 区扩撒，在这个彼此扩散的过程中形成了空间 电荷