极端远紫外光刻的等离子体光源和其光学性质研究进展！.PDFVIP

前沿进展 极端远紫外光刻的等离子体光源及其 光学性质研究进展! 3 曾交龙 ! ! 高! 城! ! 袁建民 （国防科学技术大学理学院物理系! 长沙! 4 5%% ） 摘! 要! ! 现代技术的飞速发展需要集成电路不断小型化，因而开发下一代光刻光源以满足小型化的要求成为当前 的一项紧迫任务。目前工业界确定的下一代光刻光源是波长为5, 627 的极端远紫外（89: ）光源，它能够把光刻技 术扩展到$27 以下的特征尺寸，氙和锑材料的等离子体光源被认为是这种光源的最佳候选者。文章在介绍89: 光 刻原理和89: 光源基本概念的基础上，讨论了目前研究得最多、技术最成熟的激光产生的和气体放电产生的等离子 体89: 光源，对89: 光源的初步应用进行了简单介绍，并着重对氙和锑材料产生的等离子体发射性质和吸收性质的 实验与理论研究进展进行了详细介绍与讨论。目前的理论研究进展表明，统计物理模型还不能很好地预测氙和锑等 离子体的发射与吸收光谱，因此迫切需要发展细致能级物理模型，以得到更为精确的等离子体光学性质参数，并用于 指导实验设计，提高89: 转换效率。 关键词! ! 极端远紫外光刻（89:; ），89: 光源，激光、气体放电产生的等离子体89: 光源，89: 光源的发射与吸收性质 !#$%# ’() $*+,-.$ /*, .0),.%. 12 )(*’,#3(4 #56 )(., *3)-# 3,*3.,).$ 3 8= ?/0@A;@2B ! ! CD E’F2B! ! G9C= ?/02AH/2 （!##$%$ ’()$*($ ，+,-)*,# .*)/$01)-2 3$ $*1$ 4$(5*#%2 ，!5,*%15, 4 5%% ，!5)*, ） 78$),#-)9 9 E@2I/JFK0L.F FMM@K( ’0I LFF2 JFN@(FJ @NFK (’F .0I( JF10JF (@ (’F JFNF.@)7F2( @M FO(KF7F -.(K0N/@.F( （89: ）./B’( I@-K1FI M@K 202@./(’@BK0)’P, Q’F 5, 6 27 +0NF.F2B(’ +0I /7)@IFJ LP /2J-I(K/0. I(02J0KJI J-F (@ (’F 0N0/.0L/./(P @M ’/B’AKFM.F1(/N/(P H@R S/ 7-.(/.0PFK 7/KK@KI I@ (’0( 0 KFI@.-(/@2 @M $ 27 102 LF 0((0/2FJ, TF2@2 02J (/2 0KF 1@2I/JFKFJ (@ LF (’F LFI( 102J/J0(FI M@K 89: ./B’( I@-K1FI, U2 (’/I KFN/F+ +F M/KI( LK/FM.P /2(K@J-1F (’F 1@2A 1F)(I 02J )K/21/).F @M 89: ./(’@BK0)’P ，02J (’F2 J/I1-II KF1F2( )K@BKFII /2 L@(’ FO)FK/7F2(0. 02J (’F@KF(/10. KFA IF0K1’ @2 .0IFK )K@J-1FJ 02J B0I J/I1’0KBF )K@J-1FJ ).0I70 ./B’( I@-K1FI ，+/(’ F7)’0I/I @2 (’F F7