+ – 2. PN 结加反向电压（反向偏置）.PPT

二、 N型半导体和 P 型半导体 2、 P 型半导体 7.2 PN结 一、 PN结的形成 二、 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 7.3 半导体二极管 一、 基本结构 二、 伏安特性 三、 主要参数 四、二极管电路的分析应用举例 整流电路 2. 工作原理 五、 特殊二极管 主要参数 反向电流随光照强度的增加而上升。 7.4 半导体三极管 一、 基本结构 二、半导体三极管的工作状态 1. 三极管放大状态 1）. 各电极电流关系及电流放大作用 2、三极管的饱和状态 当UCE? UBE时，晶体管工作于饱和状态。 在饱和区，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 IB增加时，Ic基本不变, Ic=Ics=Vcc/Rc 三极管的C-E之间电压很小, 可以认为短路. 硅管UCES ? 0.3V，锗管UCES ? 0.1V。 3、三极管的截止状态 三极管处于截止状态的条件是发射结反向偏置，集电结也反向偏置 。 工程上将UBE的电压小于0.5伏，即可使三极管截止。 IB=0，Ic=0 三极管的C-E之间相当于开路 ， 三、 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 四、 主要参数 1. 电流放大系数，? 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 测量晶体管特性的实验线路 特点:非线性 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6~0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 在放大区有 IC=? IB ，也称为线性区，具有恒流特性。 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （2）截止区 IB 0 以下区域为截止区，有 IC ? 0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。 饱和区 截止区 （3）饱和区 当UCE? UBE时，晶体管工作于饱和状态。 在饱和区，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。 直流电流放大系数 交流电流放大系数 当晶体管接成发射极电路时， 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。 注意： 和? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间。 * 第7章 半导体二极管和三极管 7.3 半导体二极管 7.4 半导体三极管 7.2 PN结 7.1 半导体的基础知识 7.1 半导体的基础知识 半导体的导电特性： (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 一、 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价健 共价键中的两个电子，称为价电子。 Si Si Si Si 价电子 Si Si Si Si 价电子 价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。 本征半导体的导电机理 这一现象称为本征激发。 空穴 温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。 自由电