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2017-06-15 发布于天津
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深圳市灿升实业发展有限公司 ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT5401 TRANSISTOR (PNP) FEATURES Complimentary to MMBT5551 MARKING:2L MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units （符号）（参数名称）（额定值）（单位） VCBO Collector-Base Voltage （集电极-基极电压） -160 V VCEO Collector-Emitter Voltage （集电极-发射极电压） -150 V VEBO Emitter-Base Voltage （发射极-基极电压） -5 V IC Collector Current -Continuous （集电极电流） -0.6 A PC Collector Power Dissipation （耗散功率） 0.3 W Tj Junction Temperature （结温） 150 ℃ Tstg Storage Temperature （储存温度） -55-150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT （参数名称）（符号）（测试条件）（最小值）（典型值）（最大值）（单位） Collector-base breakdown voltage 集电极-基极击穿电压 V(BR)CBO IC= -100μA, IE=0 -160 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC= -1mA, IB=0 -150 V 集电极-发射极击穿电压 Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=-100μA, IC=0 -5 V 发射极-基极击穿电压 Collector cut-off current