原创力文档- 1、本文档共4页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
热处理对以Al2O3为绝缘层的并五苯薄膜晶体管性能的影响
第28 卷第 1 期 湖南文理学院学报( 自然科学版) Vol. 28 No. 1
2016 年3 月 Journal of Hunan University of Arts and Science(Science and Technology) Mar. 2016
doi: 10.3969/j.issn.1672–6146.2016.01.005
热处理对以 Al O 为绝缘层的并五苯薄膜晶体管性能的影响
2 3
聂国政, 唐京武, 许英
(湖南科技大学 物理与电子科学学院, 湖南 湘潭, 411201)
摘要: 采用阳极氧化法制备了Al O 绝缘材料, 并制备了以Al O 为绝缘层的并五苯薄膜晶体管器件(OTFT) 。
2 3 2 3
Al O 绝缘层经过10 min 350 ℃氢热处理后, OTFT 迁移率比未经氢热处理的增大近20 倍, 且阈值电压降到了
2 3
−7 V 。Al O 膜MIS 结构电容—电压(C– V)特性的平带电压平移量数据表明, Al O 膜经过热处理后, 并五苯半
2 3 2 3
导体与Al O 绝缘体界面处以及绝缘体内缺陷态密度显著地降低, Al O 绝缘层和并五苯半导体层之间的接触
2 3 2 3
得到改善, 这使得经热处理Al O 膜的OTFT 器件性能得到显著的改善。
2 3
关键词: 有机薄膜晶体管; 阳极氧化Al2O3 绝缘层; 热处理
中图分类号: TN 321.5 文章编号: 1672–6146(2016)01–0015–04
Effect of annealing on organic thin-film transistor based on
high-k anodizing Al O dielectric
2 3
Nie Guozheng, Tang Jingwu, Xu Ying
(School of Physics and Electronic Science, Hunan University of Science and Technology, Xiangtan 411201, China)
Abstract: Organic thin-film transistors (OTFTs) based on anodizing Al O dielectric are investigated. Al O is
文档评论（0）