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SVF4N70F 说明书 4A 、700V N沟道增强型场效应管 描述 SVF4N70F N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用 士兰微电子 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工 艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越 的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点 ∗ 4A ，700V，RDS(on)(典型值)=2.5Ω@VGS=10V ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了 dv/dt 能力 命名规则 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装形式 SVF4N70F TO-220F-3L SVF4N70F 无铅 料管 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.2 2012.05.16 Http:// 共7页 第1页 SVF4N70F 说明书 极限参数(除非特殊说明，T =25°C) C 参 数 符 号 参数范围 单位 漏源电压 VDS 700 V 栅源电压 VGS ±30 V T =25°C 4.0 C 漏极电流 ID A TC=100°C 2.53 漏极脉冲电流 IDM 16.0 A 耗散功率（T =25°C ） 33 W C PD - 大于 25°C 每摄氏度减少 0.26 W/°C 单脉冲雪崩能量（注 1 ） EAS 242 mJ 工作结温范围 TJ