第5章正弦波振荡器.pptVIP

第5章 第 5 章正 弦 波 振 荡 器 5.2 反馈振荡原理 5.4 晶 体 振 荡 器 说明 (1)在石英晶振的完整等效电路中，包含有基频并联谐振支路，还包含有其它奇次谐波的串联谐振支路，对外呈现石英晶振的多谐性。但泛音晶体所工作的奇次谐波频率越高，可能获得的机械振荡和相应的电振荡越弱。 (2)、在泛音晶振电路中，为了保证振荡器能准确地振荡在所需要的奇次泛音上，必须有效地抑制掉基频和低次泛音上的寄生振荡, 而且必须保证在工作泛音频率上，电路的环路增益要略大于1，满足起振条件。而在更高的泛音频率上则要都小于1，不满足起振条件。 5.5 压 控 振 荡 器 5.6 集成电路振荡器 5.8 集成高频正弦波振荡电路的选用与实例介绍 5.5.1 变容二极管 1、变容原理：将负向电压加于变容二极管二端，使ＰＮ结的结电容随负向电压变化而变化 2、ＰＮ结的结电容变化曲线和表达式 （其中：ｎ为变容指数，UB为ＰＮ结的内建电位差） 设结电容为Cj，则： 设交流控制电压为： 将其代入上式得: 结电容变化曲线如图示: 说明： 当交流控制信号为一单频余弦信号时则Cj(t) 为一周期性的稍微有点失真的余弦脉冲。 5.5.2 变容二极管压控振荡器 1、电路组成： 将变容二极管作为电容元件替换三点式电路中电容元件，即组成变容二极管压控振荡器。 注意点： （1）、需提供静态负偏压和交流控制电压。 （2）、需防止高频振荡信号对直流偏压和低频控制电压的干扰。 电路如图示，为一个中心频率为360MHz的变容二极管压控振荡器。 分析压控振荡器必须画出晶体管直流通路，变容二极管静态负偏压电路、低频控制回路和振荡器高频振荡回路。 分析压控振荡器必须画出晶体管直流通路，变容二极管静态负偏压电路、低频控制回路和振荡器高频振荡回路。 中心频率为360MHz的变容二极管压控振荡器 说明： （1）、晶体管对变容二极管负压偏置电路、低频控制电路可视作开路。 （2）、对低频控制电路来说，高频旁路电容为开路，高频扼流圈可可视作短路。 （3）、变容二极管等效容抗、反向电阻很大，对其它电阻可视作开路。 2、电路分析 说明： 由于S1、S2值不同，可见正向、负向控制是不同的，即压控特性是非线性的。 5.5.3 晶体压控振荡器 在晶体压控振荡器中, 晶振或者等效为一个短路元件, 起选频作用；或者等效为一个高Ｑ值的电感元件, 作为振荡回路元件之一。 通常仍采用变容二极管作压控元件。 如图所示为晶体压控振荡器高频等效电路，其中 晶振是作为一个电感元件。 控制电压调节变容二极管的电容值，使其与晶振串联后的总等效电感发生变化，从而改变振荡器的振荡频率。 晶体压控振荡器的缺点是频率控制范围很窄。其频率控制范围仅在晶振的串联谐振频率ｆs与并联谐振频率ｆp之间。 为了增大频率控制范围，可在晶振支路中增加一个电感L。L越大，频率控制范围越大， 但频率稳定度相应下降。 因为增加一个电感L与晶振串联或并联，分别相当于使晶振本身的串联谐振频率ｆs左移或使并联谐振频率ｆp右移， 所以可控频率范围ｆs~ｆp增大，但电抗曲线斜率下降。 图(a)是串联电感扩展法原理。 其中左图为等效电路， 右图中两条虚曲线是晶振的电抗频率曲线，一条斜直虚线XL=ωL表示加入的电感L的电抗特性。由于晶振与L串联，所以两者的电抗频率曲线相加，就是扩展后的总电抗频率曲线，如两条实线所示。 fS′是扩展后的串联谐振频率。  图(b)是并联电感扩展法原理。 左图为等效电路, 右图中两条虚曲线是晶振的电抗频率曲线, 三条实线是扩展后的电抗频率曲线, fP′是扩展后的并联谐振频率。 3 电感三点式振荡器——哈特莱振荡器 电感三点式振荡器电路如图所示。 是从L2取得的,故称为电感反馈三点式振荡器。通常L1、L2同绕在一个骨架上，它们之间存在着互感，且耦合系数M≈1。 电感三点式等效电路 下面利用基尔霍夫定律 列出网孔方程来分析其振荡 条件.由图（C）列出回路方程： 令上面方程组系数行列式D的虚部等于零，得