第一章半导体器件的特性.pptVIP

第一章半导体器件的特性 主要内容及要求 1.1 半导体的导电特性 1.2 PN结 1.3 二极管 1.4 双极型晶体管（BJT） 1.5 场效应管（FET） 1.1 半导体的导电特性 半导体材料： 物质根据其导电能力(电阻率)的不同，可划分 导体、绝缘体和半导体。 导 体：ρ10－4Ω/cm 绝缘体：ρ109Ω/cm 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间。 典型的元素半导体有硅Si和锗Ge ，此外，还有 化合物半导体砷化镓GaAs等。 1.1 半导体的导电特性 半导体的原子结构和简化模型 元素半导体硅和锗共同的特点：原子最外层的电子（价 电子）数均为4。 1.1 半导体的导电特性 1.1.1本征半导体的导电特性 本征半导体 ：纯净的且具有完整晶体结构的半导体。 载流子：物资内部运载电荷的粒子。 本征激发：在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束 缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴)的过程。 空穴：共价键中的空位。 复合：自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。 动态平衡：当温度T一定时，单位时间内产生的自由电子空穴对 数目与单位时间内因复合而消失掉的自由电子空穴对数目相等， 称为载流子的动态平衡。 金刚石结构 1.1 半导体的导电特性 1.1 半导体的导电特性 半导体中的两种载流子：自由电子，空穴。 两种载流子导电的差异： ●自由电子在晶格中自由运动 ●空穴运动即价电子填补空穴的运动，始终在原子的共价键间运动。 结论： 1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少； 2．半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电； 3．本征半导体导电能力弱，并与温度有关。 1.1 半导体的导电特性 1.1.2杂质半导体的导电特性 1.2.1 PN结的形成 过程： 1. 载流子的浓度差引起多子的扩散； 2. 复合使交界面形成空间电荷区； 3.空间电荷区阻止多子扩散，引起少子漂移； 4. 扩散和漂移达到动态平衡。 1.2.2 PN结的单向导电性 一、外加正向电压 外电场使多子向 PN 结移动,中和部分离子使空间电荷区变窄，扩散运动加强，形成了一个流入P区的正向电流 IF 。 二、外加反向电压 外电场使少子背离 PN 结移动，空间电荷区变宽。漂移运动加强形成反向电流 IR。 单向导电性： 正偏导通，呈小电阻，电流较大; 反偏截止，电阻很大，电流近似为零。 小结 本讲主要介绍了以下基本内容： PN结形成：扩散、复合、空间电荷区（耗尽层、势垒区、阻挡层、内建电场）、漂移、动态平衡 PN结的单向导电性：正偏导通、反偏截止 1.3.2 二极管的伏安特性 一、PN结的伏安特性 二、实际二极管的伏安特性 三、理想二极管的特性 若二极管的正向压降远小于和它串联的电压，反向电流远小于和它并联的电流，可用理想二极管来等效二极管。理想二极管的门限电压和正向压降均为零，反偏时反向电流也为零。 1.3.3 二极管的主要参数 1、最大正向电流IFM：二极管长期工作运行通过的最大正向平均电流。 2、反向峰值电压VRM：为保证管子安全工作，通常取为击穿电压的一半。 3、反向直流电流IR(sat)：是管子未击穿时反向直流电流的数值。 4、最高工作频率fM：是二极管具有单向导电性的最高工作频率。 1.3.4 稳压二极管 一、稳压二极管的稳压特性 具有陡峭的反向击穿特性，工作在反向击穿状态。 二、稳压管的参数 1、稳定电压VZ 2、稳定电流IZ： 3、动态电阻rZ ： 4、最大稳定电流IZmax和最小稳定电流IZmin 1.3.5 二极管电路 一、限幅电路 例1.3.1题： 当负载最小时，输出电流最大。这时稳压管的电流也应大于其最小工作电流，可求得最大限流电阻。 当负载最大时，输出电流最小，这时稳压管的电流也应小于其最大工作电流，可求得最小限流电阻。 1.4.1晶体管的结构及符号 结构：三个区：发射区、基区和集电区 三个极：发射极、基极和集电极 两个结：发射结、集电结 生成类型：合金型和平面型 要实现电流放大作用，要求： 发射区掺杂浓度高； 基区薄且掺杂浓度低； 集电结面积大。 1.4.2晶体管内载流子的传输过程 晶体管正常工作的外部条件：发射结外加正向电压VBE，集电结加上较大的反向偏压VCB。 1.4.3 晶体管直流电流传输方程 一、共基极直流电流传输方程 共基极电流放大系数 ： 三、共集电极直流电流传输方程 1.4.4 晶体管的共射组态特性曲线 一、输入特性曲线 分析： 时：集电结正偏，相当于 两个二极管并联的正向特性。 时：曲线右移，集电