陶杰版材料科学基础--第7章晶体缺陷.ppt

第7章 晶体缺陷 一、晶体中的缺陷 晶体结构特点是长程有序。 构成物体的原子、离子或分子等完全按照空间点阵规则排列的，将此晶体称为理想晶体。 在实际晶体中，原子的排列不可能这样规则和完整，而是或多或少地存在着偏离理想结构的区域，出现了不完整性。 通常把实际晶体中偏离理想点阵结构的区域称为晶体缺陷。 当原子在C处时，为能量较高不稳定状态，空位迁移须获足够能量克服此障碍，称该能量为空位迁移激活能ΔEm。 位错：是晶体中普遍存在的一种线缺陷，它对晶体生长、相变、塑性变形、断裂及其它物理、化学性质具有重要影响。 位错理论是现代物理冶金和材料科学的基础。 位错概念：并不是空想的产物，相反，对它的认识是建立在深厚的科学实验基础上。 人们最早提出对位错的设想，是在对晶体强度作了一系列的理论计算，发现在众多实验中，晶体的实际强度远低于其理论强度，因而无法用理想晶体的模型来解释，在此基础上才提出来的。 塑性变形：是提高金属强度和制造金属制品的重要手段。 早在位错被认识前，对晶体塑性变形的宏观规律已作了广泛的研究。发现：塑性变形的主要方式是滑移，即在切应力作用下，晶体相邻部分彼此 产生相对滑动。 1926年，弗兰克（ Frankel）从刚体滑移模型出发，推算晶体的理论强度。 设滑移面上沿滑移方向的外加剪切应力为τ，滑移面上部晶体相对下部发生位移为x。则所需的切变应力τ为位移x的周期函数： 当位移很小（x?a），可得： 由虎克定律，可得： 比较两式得： 若取a≈b，则 为晶体滑移的理论临界分切应力（理论切变强度）。 当 后，理想完整晶体就开始发生滑移变形了。 理论切变强度与实际切变强度间的巨大差异： 从根本上否定理想完整晶体的刚性相对滑移的假设，即实际晶体是不完整的，而有缺陷的。 滑移也不是刚性的，而是从晶体中局部薄弱地区(即缺陷处)开始，而逐步进行的。 1934年，泰勒（G.I.Taylor）、波朗依（M.Polanyi）和奥罗万（E.Orowan）几乎同时从晶体学角度提出位错概念。 特别是，泰勒把位错和晶体塑性变形联系起来，开始建立并逐步发展了位错理论。 设有一简单立方结构的晶体，在外切应力? 的作用下，以ABCD面为滑移面发生局部滑移， EFGH面以左发生了滑移，以右尚未滑移，致使ABCD面上下两部分晶体间产生了原子错排。 EF－将滑移面分成已滑移区和未滑移区，即是“位错”。 EFGH晶面称多余半原子面。 刃型位错结构特点 1）有一个额外半原子面，晶体上半部多出原子面的位错称正刃型位错，用符号“⊥”表示，反之为负刃型位错，用“ㄒ”表示。 此正、负之分只具相对意义而无本质区别。 如将晶体旋转180°，同一位错的正负号发生改变。 刃型位错结构特点 2）刃位错线不一定是直线，也可是折线或曲线或环。但必与滑移方向相垂直，也垂直于滑移矢量b。 刃型位错结构特点 3）刃型位错位错线EF与滑移矢量b垂直，滑移面是位错线EF和滑移矢量b所构成唯一平面。位错在其他面上不能滑移。 刃型位错结构特点 4）刃型位错存在晶体中，使其周围点阵发生点阵畸变，既有切应变，又有正应变。点阵畸变相对于多余半原子面是左右对称的，其程度随距位错线距离增大而减小。 正刃位错：滑移面上方点阵受压应力，下方点阵受拉应力。负刃型位错与此相反。 刃型位错结构特点 5）在位错线周围的过渡区（畸变区）每个原子具有较大的平均能量。但只有2～5个原子间距宽，呈狭长的管道。 2、螺型位错 晶体在外切应力τ作用下，右端晶体上下区在滑移面（ABCD）发生一个原子间距的切变。 BC为已滑移区与未滑移区的交界处，即位错线。 在BC线和aa’线间的原子失去正常相邻关系，连接则成了一个螺旋路径，该路径所包围的呈长管状原子排列紊乱区即成螺型位错。 螺型位错中，晶体滑移方向与位错线（BC）平行，并移动了一个原子间距而后胶合便产生了螺型位错。 螺型位错特点 1）无额外半原子面，原子错排是呈轴对称的。 2）螺位错线与滑移矢量平行，故一定是直线，且位错线的移动方向与晶体滑移方向互相垂直。 3）纯螺位错滑移面不唯一的。凡包含螺型位错线的平面都可为其滑移面，故有无穷个滑移面，但实际上滑移通常在原子密排面上，故也有限。 螺型位错特点 4）螺位错周围点阵也发生弹性畸变，但只有平行于位错线的切应变。 5）螺位错周围点阵畸变，随离位错线距离的增加而急剧减少，故它也是包含几个原子宽度的线缺陷。 6）螺位错形成后，所有原来与位错线相垂直的晶面，都将由平面变成以位错线为中心轴的螺旋面。 §7.2 位错 除两种基本位错外，还有一种形式更为普遍，其滑移矢量既不平行也不垂直于位错线，而与位错线相交成任意角度，此位错称为混合位错。 如图为晶体局部滑移形成混合位错及其原子组态。