硅微机电系统加工技术简介.ppt

2000年10月18日 浙江大学微系统中心 硅微机械系统加工技术简介 刘东栋 浙江大学微系统中心 一．简介 自从肖特基（Schockley）等人在1947年发明晶体管以来，科技进入了微电子时代。现在微电子已发展到了ULSI（甚大规模），加工精度到了深亚微米至量子级别。 二? 微机械系统中常用工艺 现在硅微机械系统的制造还是基于IC常规工艺，如刻蚀、光刻、外延、掺杂工艺等等，也有微机械特有的工艺,如键合。用以加工出悬臂梁、孔、轴、弹簧等用于微机械的结构。 2.1氧化（oxidation）工艺 氧化工艺是IC工艺的基础，主要用途为： ?对硅表面进行钝化保护 ?在扩散、刻蚀工艺工程中对图形进行屏蔽保护 ?作为电绝缘材料 ?在硅表面微机械加工中当作牺牲层 ★氧化工艺的实现方式有两种：热生长法和化学气相淀积法（CVD） 2．2 光刻（lithography）工艺 光刻是一种图形转移动的方法，即通过曝光，把光刻版上的图形转移到光刻胶上，再通过刻蚀等方法转移到硅片上。光刻的工艺流程为： 光刻胶 ●光刻胶按曝光工作波长，可分为紫外光刻胶，电子束光刻胶和X光光刻胶。 ●紫外光刻胶：分为负型光刻胶和正型光刻胶两种。 负型光刻胶曝光部分为不溶解性 正型光刻胶曝光部分为可溶解性。 光刻种类 按工作波长，光刻可分为近紫外光刻，远紫外光刻，电子束光刻和X光光刻等。在IC生产中大量使用的是远紫外光刻。 按光刻的工作方式，可分为接触式光刻，和投影步进式光刻，其中步进式光刻是当今IC工业生产的主流。 2．3 刻蚀（etching）工艺 ●刻蚀工艺是微机械最重要对工艺，它主要是用于制作三维结构，另外还可以对表面抛光。 ●刻蚀工艺分为湿法腐蚀和干法刻蚀两种。 ●刻蚀对对象可以是：硅、砷化镓等半导体，金属、多晶硅等导体，二氧化硅、氮化硅等绝缘体。 湿法腐蚀工艺 ●湿法腐蚀主要应用在体硅微机械的加工中，用于加工微结构。 ●湿法腐蚀的反应机理是电化学反应。 （反应方程式见下页） ●湿法腐蚀有各向同性腐蚀和各向异性腐蚀两种。 各向同性腐蚀 各向同性腐蚀就是腐蚀液对各个晶向的腐蚀速度相同的腐蚀。 典型的腐蚀液：49％HF＋69％HNO3＋CH3COOH ，即HNA溶液。反应方程式： Si＋HNO3＋6HF＝H2SiF6＋H2NO2＋H2O＋H2 特点及应用：对SiO2腐蚀明显，不能用SiO2作掩膜。主要用于平面抛光。 各向异性腐蚀 各项异性腐蚀是不同晶向的腐蚀速度不同的腐蚀。 111面腐蚀速度最慢，100面腐蚀速度最快，110面速度居中。 应用：利用各个晶面腐蚀速度的不同，可以加工出各种微结构。 自停止腐蚀 腐蚀的速度与掺杂浓度密切相关，在各向异性腐蚀中，重掺杂硼（≥7×1019cm－3）时，腐蚀速度在KOH中减小5－100倍，在EDP中减小250倍。腐蚀速度与低掺杂时的腐蚀速度比近似为0。所以假设腐蚀时间无限长，腐蚀会在一定位置处（重掺浓度处）停止，这就叫自停止腐蚀。 电化学腐蚀 干法刻蚀 干法刻蚀:利用等离子体刻蚀作用进行图形转移称为干法刻蚀。 其最主要的优点是其各向异性的刻蚀。与一般的湿法刻蚀相比，干法刻蚀基本没有侧向掏蚀、钻蚀现象，适用的基底材料范围更大，控制精度更高。 干法刻蚀与湿法腐蚀区别 干法刻蚀的侧向腐蚀小，故刻蚀出来的槽陡直。可以进行大纵深图形的加工。 湿法腐蚀侧向腐蚀明显,可以制作出非陡直结构。 2.4 外延及掺杂技术 在晶片上生长一层与衬底同晶向材料的过程就叫外延。 外延分为：气相外延和掖相外延两种。微机械工艺中，多使用气相外延。方法是：LPCVD 用途：生长多晶硅。用于硅表面微机械。 掺杂工艺 掺杂工艺是IC生产的常用工艺。为了得到所希望的特性，如电阻率，把杂质掺如单晶中，这就是掺杂。有P、N两种杂质。 对于硅，P型杂质有：B,Al,As N型杂质有：P ,Ga ,Te等 掺杂的方法有：熔体掺杂、外延生长掺杂、扩散掺杂和离子注入等。 外延生长掺杂：即在外延生长的时，材料生长气体和包含杂质的气体同时进入反应室，通过控制气体组分来控制掺杂浓度。 2.5 键合工艺 键合工艺是微机械的特殊工艺，它是将玻璃与金属、半导体或半导体之间不用任何粘接剂直接封接在一起，键合界面有良好的气密性和长期稳定性。 键合工艺分为硅硅键合、硅和玻璃键合等。 硅硅键合的问题 1平整度的问题 2 清洗问题 3 对位问题 硅和玻璃键合 又称静电键合、场助键合。 原理是硅片接正极，玻璃接负极，硅片和玻璃紧密贴紧，并对硅和玻璃加热。这样，玻璃中对Na＋离子在外电压的作用下向负极方向移动，在紧邻硅片对玻璃表面形成几个微米宽的耗尽层。耗尽层带负电，硅片带正电，所以硅和玻璃间