科一微电子复习提纲(大学期末复习).doc

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一. VLSI概述(第一次课目录) (1)摩尔定律的内容。 1,芯片集成度每18个月将翻一番。 2,至少还会适用15年! (2)集成电路从亚微米(0.5到1微米)、深亚微米(小于0.5微米)发展至今天的超深亚微米或纳米(小于0.25微米) ,当今集成电路的特点有哪些。 1,特征尺寸越来越小。2, 芯片面积越来越大。3, 单片上的晶体管数越来越多 4, 时钟频率越来越高。5, 电源电压越来越低。6, 布线层数越来越多。7, I/O引线越来越多。 (3)集成电路产业是以哪几个因素为主要环节的系统工程? 集成电路产业是以市场、设计、制造、应用为主要环节的系统工程。 (4)VLSI的设计步骤有哪些?每一个设计步骤的实现方式/实现内容是什么? 1、系统规范化说明(System Specification) 包括系统功能、性能、物理尺寸、设计模式、制造工艺、设计周期、设计费用等等。 2、功能设计及描述(Function Design ) 将系统功能的实现方案设计并用VHDL等硬件描述语言描述出来。 3、寄存器传输级设计( RTL Design) 将系统功能结构化,确定系统的时序,给出系统的状态图及各子模块之间的数据流图。 4、逻辑设计(Logic Design) 通常以文本、原理图、逻辑图表示设计结果,有时也采用布尔表达式来表示设计结果。 5、电路设计(Circuit Design) 电路设计是将逻辑设计表达式转换成电路实现。 6、物理设计(Physical Design or Layout Design ) 物理设计或称版图设计是VLSI设计中最费时的一步。它要将电路设计中的每一个元器件包括晶体管、电阻、电容、电感等以及它们之间的连线转换成集成电路制造所需要的版图信息。 7、设计验证(Design Verification) 在版图设计完成以后,非常重要的一步工作是版图验证。主要包括:设计规则检查(DRC)、版图的电路提取(NE)、电学规检查(ERC)和寄生参数提取(PE)。 (5)VLSI设计可分为哪几个层次?哪几个域? 描述不同设计层次与不同域之间的对应关系。 六个层次:系统级,芯片级,寄存器级,门级,电路级,版图级。 三个域:行为域,结构域,几何域。 关系:(书P10) (6)画出VLSI设计的基本流程图。(书P8) (7)列举出4家VLSI设计业界最著名的EDA公司名称。 Synopsys,Cadence,Mentor,Magma (8)MPW的中文和英文全称是什么?MPW是指什么含义? 多项目晶圆;multi project wafer;就是将多个具有相同工艺的集成电路设计放在同一晶圆片上流片,流片后,每个设计品种可以得到数十片芯片样品,这一数量对于设计开发阶段的实验、测试已经足够。9)IDM是指什么含义?Fabless是指什么含义?Foundry是指什么含义? IDM:指综合数据复用器10)集成电路的成本主要包括哪两部分? 设计成本;生产成本。 二. 集成电路工艺基础(第二次课目录) (1)什么是本征半导体? 无掺杂、无缺陷的纯净硅称为本征半导体。 (2)如何生成N型半导体和P型半导体? N型半导体与P型半导体的各自特点是什么? 当硅中掺入Ⅴ族元素P时,硅中多数载流子为电子,这种半导体称为N型半导体。 当硅中掺入Ⅲ族元素B时,硅中多数载流子为空穴,这种半导体称为P型半导体。 各自的特点:N型半导体载流子为电子,P型半导体载流子为空穴。 (3)应用在集成电路中的绝缘体材料主要有哪些?绝缘体材料在集成电路中的作用是什么? SiO2 、SiON和Si3N4;充当离子注入及热扩散的掩膜,器件表面的钝化层,电隔离 (4)金属在集成电路中的作用。 1. 形成器件本身的接触线。 2. 形成器件间的互连线。 3. 形成焊盘 (5)多晶硅在集成电路中的作用。 多晶硅被广泛用于电子工业,在MOS及双极性器件中用于制作栅极、形成源极与漏极(或双极型器件的发射区与基区)的欧姆接触,基本连线、薄PN结的扩散源,高值电阻等。 (6)CMOS工艺晶体管制造的主要/重要工艺步骤有哪些?每一个步骤的具体内容和实现方法是什么?(以韦老师课件“第三四章_CMOS集成电路的物理结构—制造-物理设计.ppt”为主) 1 外延生长。外延是指在晶体上生长晶体,生长出的晶体的晶向与衬底晶向相同,掺杂类型、电阻率可不同。 2 掩模版的制作。用石英玻璃制成的均匀平坦的薄片,表面涂上一层600~800nm的Cr层,使其表面光洁度更高。称之为铬板。现代的掩膜技术:(1)图案发生器方法 (2)X射线制版(3)电子束扫描法 3 光刻原理与流程。a,晶圆涂光刻胶。b,曝光。c,显影。d,烘干。 4 氧化。SIO2的生长的方法:a,热氧化层的生长

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