模拟电路第章.pptVIP

2 半导体器件基础;★ 半导体的基础知识 ★★ 半导体器件的核心环节——PN结 ★★★ 半导体二极管的物理结构、工作原理、特性曲线和主要参数以及二极管基本电路及其分析方法与应用 ★★★★ 半导体三极管的物理结构、工作原理、特性曲线和主要参数以及三极管基本电路及其分析方法与应用 ★★★★★ 场效应管的物理结构、工作原理、特性曲线和主要参数;2.1 半导体的基本知识;共价键结构半导体的特点：;②共价键上的某些电子受外界能量激发（如受热或光照）后，可挣脱共价键束缚，成为带负电荷的自由电子。自由电子在电场力作用下，逆着电场方向作定向运动，形成电子流。——电子是半导体的载流子之一。 ③共价键上的电子挣脱共价键束缚成为带负电荷的自由电子后，在其原来的位置留下一个空位，称为空穴。空穴的出现是半导体区别于其他导体的一个重要特点。;电子—空穴对本征激发、复合;2.1.2 杂质半导体;P型半导体： 在本征半导体硅（或锗）中掺入微量三价元素硼（或镓），以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。掺入了三价元素的杂质半导体，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。;2.1.3 PN结及其单向导电性;扩散运动：P型半导体和N型半导体的交界面处形成载流子浓度的差异。P区空穴多，N区电子多，N区电子要向P区扩散，P区空穴向N区扩散，这种由于浓度差异引起的载流子运动称为扩散运动。 漂移运动：扩散运动的结果，产生从N区指向P区的内电场。在电场作用下的载流子运动称为漂移运动。;一、PN结的形成;二、PN结的单向导电性;2.2.1 晶体二极管的结构、符号、类型;晶体二极管的符号;二极管的分类;2.2.2晶体二极管的伏安特性与等效电路;(1)正向特性 ①死区(也叫不导通区)，用 Ur表示，一般硅二极管约0.5V，锗二极管约0.1V ②导通区——一般硅二极管约为0.7V，锗二极管约为0.2V (2)反向特性 ①反向截止区 ②反向击穿区;由特性曲线：;2.2.2.2．等效电路;理想二极管加不同极性电压时的意义;考虑UF , 二极管加不同电压时的意义;例2.1 二极管电路如下图所示，试计算回路中的电流ID及输出电压UO，设二极管为硅管。;解：图示电路中，于a、b点处断开，得： Ua =-12V， Ub =-18V 由于 Ua ＞ Ub ，故二极管导通。 若二极管为理想的，则ID =UR/R=（-U1+U2）/R=3mA， UO=- U1=-12V 若计二极管的正向压降UF，则ID =UR/R=（-U1+U2-UF）/R=2.65mA， UO= -UF - U1=-12.7V;2.2.3 晶体二极管的主要参数;温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加1℃，正向压降VF(Vd)大约减小2 mV，即具有负的温度系数。;2.2.5 晶体二极管的基本应用;2.2.6 稳压、发光、光电、变容二极管简介;发光二极管;变容二极管;2.3 晶体三极管;晶体管的电路符号;晶体管的分类：;半导体器件型号与符号的意义（GB-249-74）;示例1：3AG11G;示例3：CS2B;2.3.2.1晶体管处于放大状态的工作条件; 双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态。;共发射极接法;2.3.2.2 晶体管的电流分配;进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会较少。又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快就运动到了集电结的边上，进入集电结的结电场区域，被集电极所收集，形成集电极电流ICN。在基区被复合的电子形成的电流是 IBN。;集电结反偏，使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。可得如下电流关系式： IE= IEN＋ IEP 且有IENIEP IEN=ICN+ IBN 且有IEN IBN ， ICNIBN IC=ICN+ ICBO IB=IEP+ IBN－ICBO IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN=(ICN+ICBO)+(IBN+IEP－ICBO)=IC+IB ;直流电流放大系数;晶体管电流的分配关系与电压极性;几点结论：;2.3.3.1输入特性与等效电路;输入特性——输入电路的电压电流关系曲线;2.3.3.2 输出特性与等效电路;输出特性;晶体管的三种工作状态;晶体管工作在放大区时的特点;截止晶体管和饱和晶体管的等效开关;2.3.4