超硬材料薄膜技术.pptVIP

五.直流等离子体射流法 主要由真空系统（真空室、抽气系统）、进气系统、水冷样品台和等离子射流源构成。其中等离子射流源是该设备的关键。 其制备金刚石膜的过程如下：在杆状阴极和环状阳极之间施加直流电压，当气体通过时引发电弧，加热气体，高温膨胀的气体从阳极嘴高速喷出，形成等离子射流。引弧的气体通常采用氩气，等形成等离子射流后，通入反应气体被离化，并到达水冷样品台上的基片，在基片上形核、生长金刚石。 优点：等离子射流的温度高达上万摄氏度，其等离子体密度较其他方法高很多，其沉积速率在目前已知方法中最高，最高可达到930μm/h。沉积速度快、质量好。 缺点：设备复杂、昂贵、进气量大、功率大、工艺控制较难、运行成本较高。 直流等离子射流CVD法制备金刚石膜示意图 1—阴极；2—阳极；3—磁铁；4—等离子射流；5—试样； 6—进气口；7—真空室；8—水冷样品台；9—真空系统 第三节 立方氮化硼薄膜的制备方法 CVD法：射频等离子CVD法、微波等离子CVD法、低温双等离子CVD法等 PVD法：空心阴极活性反应离子镀（HCD-ARE）法、离子化蒸镀法、IVD法等 常见的立方氮化硼合成方法 一种化学气相沉积制备BN薄膜的实验系统，系统中有两个可调节的进气阀，一个是NH3阀，另一个是B10H14阀。 BN膜沉积条件如图 * 超硬材料薄膜技术 第一节 金刚石薄膜的形成 C(碳源，CH4,CO等) C(金刚石) 低温低压 低温低压法人造金刚石 低温低压制备金刚石起始于1970年前苏联Deryagin,Spitsyn和Fedoseev等人的成功试验，1980年前后，日本Setaka等人验证了在低压条件下非金刚石衬底上气相生长金刚石晶体是可行的。 原理： 反应气体在高温下被分解，生成碳氢自由基，烃类分子和原子氢，气体组分在气流的导向下，在沉积基底表面发生气-固相反应，生长金刚石薄膜。 低温低压下化学相沉积（CVD)金刚石薄膜，是当今的一大研究热点。 低温低压法人造金刚石 CVD金刚石膜作为切削刀具材料的有利条件是其无与伦比的硬度所导致的优良组合性质: 1. 好耐磨性和其尺寸稳定性。 2. 具有较小的摩擦系数。 3. 允许刀具承受的进攻性机械加工温度可达800℃。 4. 化学性能更稳定,抵御刀具切削液的腐蚀。 但是，目前生产CVD金刚石膜，作为切削刀具使用尚处于试验阶段，有待进一步研究和开发。 低温低压法人造金刚石 当今CVD沉积金刚石膜选用衬底多种多样，硅，不锈钢，钛基体，钛合金，铱，铬，铝，铜，钼，镍，铂等等多种衬底上沉积。 CVD金刚石涂层刀具 高温高压人造金刚石与低温低压人造金刚石比较： 转化为金刚石的碳源不同，高温高压时选用的是石墨等原料，而低温低压则是选用的甲烷，一氧化碳等碳源 高温高压下生成的金刚石是稳定相，而低温低压生成的金刚石是非稳定相 高温高压下合成的金刚石颗粒较大，如今高温高下可合成尺寸较大的单晶，但是低温低压下尚未实现，低温低压下合成的为多晶金刚石薄膜。 一.金刚石薄膜的形成机理 大量的甲基与基体表面以及甲基之间相互作用，形成碳碳连接的共价键，进而在基体表面上形成金刚石晶核。在高能粒子的持续作用下，活性的甲基逐步取代晶核中的氢，不断循环下去形成金刚石薄膜。 气相生长金刚石平面示意图 在氢的作用下，石墨结构转化成金刚石结构 CH3—与石墨相互作用转化成金刚石 气相合成金刚石单晶体形状与合成条件的关系 1.金刚石膜的主要沉积方法和成膜生长概述 金刚石膜的沉积方法主要有两大类，一是化学气相沉积；二是物理气相沉积。 化学气相沉积是制备金刚石膜的主要方法，而物理气相沉积则是制备非晶金刚石、类金刚石薄膜的主要方法。 本章主要讨论化学气相沉积金刚石膜的工艺。应用最多，发展最成熟的是：热丝化学气相法、微波化学气相法和直流等离子体射流化学气相法。 CVD设备图 2、金刚石薄膜生长阶段 第一阶段为金刚石的形核阶段，在这一阶段，含碳的气源在合适的工艺参数下，在沉积基体上形成一定数量的孤立的金刚石晶核。 第二阶段为金刚石的生长阶段，在这一阶段里，金刚石晶核不断长大，并连成一片，覆盖整个基体表面，再沿垂直方向生长，形成一定厚度的金刚石膜。 二.主要的沉积工艺参数对金刚石形核的影响 1、基体材质 基体分为天然金刚石、强碳化物形成元素非碳化物形成元素，对碳有较高溶解度和高的扩散系数的元素以及化合物。 在天然金刚石基体上金刚石最易形核和生长。 在强碳化物形成元素基体上，通常首