空位缺陷对高自旋极化材料D9EDF 磁电性能的影响 - 重庆邮电大学学报.PDFVIP

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空位缺陷对高自旋极化材料D9EDF 磁电性能的影响 - 重庆邮电大学学报

第 卷第 期 重庆邮电大学学报!自然科学版 ! # $%’! (%’# ! 年 月 ! )**+ !) ,%-./0%123%/ 6/ 7/689.:6; %1=%:;:0/?99@%AA-/6@0;6%/:(0;-.0B@69/@9 C9@’)**+ 45 4 空位缺陷对高自旋极化材料 D 磁电性能的影响 D9 E F 孙 雷 董会宁 刘 俊 李登峰 ! ! ! ! ! ! # 重庆邮电大学 应用物理研究所 重庆 !#$ # ! 摘 要 %% 是一种高自旋极化材料 在自旋电子器件中具有广阔的应用前景 采用第一性原理赝势法计算了’ ! ’ ! 种 空位缺陷对 磁电性能 能态密度 电荷分布 分子磁矩等 的影响 并利用配位场理论分析了 种空位 % %% # $ $ % ! ’ ’ ! 缺陷影响%% 磁电性能的微观机理 ’ ! 关键词 空位缺陷 磁电性能 自旋极化 # %% ’ ! 中图分类号# , $ , 文献标识码# 文章编号# # % (#)!*+) )(#)!*’’ ) - )#.’/+0$1 0.#/.#./! ! ! ! ! ! ! ! ! ! G119@;%180@0/;919@;:%/A0/9;6@0/99@;.6@ .%9.;69:%1D9 D 4 H H ’ ! 234 56 7(48 9:6/;6; 5=3 :; 5=7; /?; ! # =;@A6A:AB?- D6EFG @6I@JGB; 6; 3;6LM@6A B?FB@A@N;EODIBPP:;6INA6B;@ JGB; 6; !#$ F*Q*JG6;N CC H K H K $ IJ:;.0@; %%

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