嵌入式存储器报告.docxVIP

一、嵌入式存储器分类如下图所示，嵌入式存储器大致可以分类如下。挥发性和非挥发性存储器跟掉电丢失是否有关。前者为掉电数据丢失。挥发性存储器包括SRAM、DRAM和SDRAM；而上图中的EDRAM(增强动态随机存取存储器)属于高密度DRAM，只是其中还包括了一小部分的SRAM。该类RAM对极高密度存储空间的应用有着迫切需求，但是因为其工艺极其复杂，也只有IBM和NEC将其实现有限应用的推广，但是随着技术不断的精进，该类RAM也终将大放异彩。说了这么多，大家是不是发现挥发性存储器和计算机系统的随机存储器那么相似，差不多就是一个东西。但是真正严格的来说，还是不能将它们归为一类，因为现在有的RAM也可以在断电的情况下保留数据的不是吗？而非挥发性存储器就不用说啦！从上图我们可以看到，ROM(只读存取存储器)的类别差不多都也被涵盖。二、存储器举例说明由于RAM和ROM的类别实在是有点多（从上图就可以得知），所以我也只能挑一些来说明，例如：SRAM、DRAM、EEPROM和Flash。这些是我们所能接触到的最基本或最主流的。SRAM(1).SRAM存储信息原理： 依靠双稳态电路内部交叉反馈的机制存储信息。相信学习过数电的同志都知道锁存器就是由双稳态电路来构成，而SRAM中数据就是由锁存器来记忆的，只要不断电，数据就能永久保存。这也就能解释SRAM的特性了。 (2)、SRAM的优缺点 优点：速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作。缺点：功耗较大、集成度较低。掉电不能保存数据，而且价格较高。(因为SRAM速度快，价格贵等特点使其经常用于CPU中的cache，这也是CPU昂贵的一个原因，同时因为存储单元器件较多，集成度不太高，加之工作速度也很高，所以单元电路叠加起来的功耗也较高)DRAM(1)DRAM存储信息原理：依靠电容存储电荷的原理存储信息。DRAM的存储单元是由一个MOS管和一个容量较小的电容器构成。它存储数据的原理是电容器的电荷存储效应。 (2) DRAM 特点功耗较低,集成度较高,速度较快。作主存，目前被各类计算机广泛使用。单管单元是破坏性读出，读出后需重写。SRAM与DRAM特性比较SRAMDRAM存储信息触发器电容破坏性读出非是需要刷新不要需要送行列地址同时送分两次送运行速度快慢集成度低高发热量大小存储成本高低EEPROM（电可擦出可编程存储器）如上图中(a)所示，PROM的存储阵列便是如此，而EEPROM则是由flotox MOS 管构成了EEPROM存储器阵列。（注意EEPROM的阵列与PROM不同 EEPROM 既具有ROM的非易失性，又具有写入功能。改写过程就是点擦除过程，改写以字为单位进行。Flash（闪烁存储器） Flash的存储单元只需要一个快闪叠栅MOS管，所以结构简单，集成度要比EEPROM高。而Flash的擦出与写入是分开进行的，通过在快闪叠栅MOS管的源极加正电压完成擦出操作，而在MOS管的栅机加高的正电压完成写入操作。因此在写入前，首先要进行擦除。（Flash的存储阵列同样区别于EEPROM）。EEPROM与Flash比较两者都是非易失性存储器FLASH的全称是FLASH EEPROM,但跟常规EEPROM的操作方法不同FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作,二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,FLASH的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比EEPROM低,因而适合用作程序存储器,EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器.当然用FLASH做数据存储器也行,但操作比EEPROM麻烦的多,所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有FLASH,早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构,现在已基本上停产了.一般来说eeprom中存放开机是用到的参数,不可丢失的变量等,而FLASH中会存放程序,记录文件等.（EEPROM要比Flash更不易丢失）参考资料：1、《电子技术基础》康光华2、SRAM、DRAM、EEPROM、FLASH百度百科3、SRAM、DRAM、EEPROM、FLASH百度知道4、中国知库-------嵌入式存储器发展现状