固相反应合成β-SiC粉体的工艺参数对其介电性能的影响.pdfVIP

固相反应合成 13-SIC粉体的工艺参数对其介电性能的影响／苏晓磊等 ·77 · 固相反应合成 ~-SiC粉体的工艺参数对其介电性能的影响 苏晓磊 ，周万城 ，徐 洁 ，王俊勃 ，贺辛亥 ，付 种 (1 西安工程大学机电工程学院，西安 710048；2 西北工业大学凝固技术国家重点实验室，西安 710072) 摘要 采用固相反应合成法，以硅粉和炭黑为原料，分别在 0．1MPa的氩气和氮气气氛中合成 13-SIC粉体。通 过X射线衍射和扫描 电镜对合成粉体的物相、微观结构及形貌进行了表征。同时在 8．2412．4GHz频率范围内进行 了介电性能测试。结果表明，在氩气中合成BISiC粉体其晶格参数小于在氮气中合成粉体的晶格参数，两者均小于标 准值，但介电参数表现 出了相反的趋势。讨论了合成机理和气氛对SiC介 电性能的影响。 关键词 碳化硅 介电性能 固相反应 中图分类号：TQ174 文献标识码 ：A TheEffectofTechnologyParametersonII-SiCPowdersbySolidReaction SU Xiaolei，ZHOUWancheng。，XU Jie，WANGJunbo，HEXinhai，FU Chong (1 CollegeofMechanical ElectronicEngineering，Xi’anPolytechnicUniversity，Xi’an710048； 2 StateKeyLaboratoryofSolidificationProcessing，NorthwesternPolytechnicalUniversity，Xi’an710072) Keywords The SiC powderswerepreparedbysolid statereaction in0．1M Panitrogen andargonatmos— phere，usingsilicon(Si)andcarbonblack(C)powdersasrawmaterials．Thepreparedpowderswerecharacterizedby X-raydiffraction(XRD)andscanningelectronmicroscope(SEM)．Themicrowavedielectricpropertyofpreparedpow— dersweremeasuredinthefrequencyrangeof8．2—、，12．4GHz．Resultsshow thatthelatticeparameterofprepared powdersinargonatmosphereislessthanthatofpreparedpowdersinnitrogenatmosphere，bothofwhicharelessthan thestandardvalueof SiC．However，thedielectricpropertyshowsthattheadversetrend duetothemoredefects generatedinargonatmosphere．Thesynthesizedmechanism andeffectofatmosphereondielectricpropertyofSiC powderarediscussed． Keywords siliconcarbide，dielectricproperty，solidstatereaction 了气氛对合成粉体的影响。采用XRD和 SEM 对其微观结 0 引言 构进行分析，同时在 8．2～12．4GHz范围内对其介电性能进 碳化硅是一种性能优异的结构陶瓷材料，具有硬度高、 行测试，并对其介电损耗机理和合成机理进行讨论。 高温强度大、抗蠕变性能好、耐化学腐蚀、抗氧化性能好、热