电路基础、电子技术与元器件教案——第5章 放大器.doc

第5章 放大器 【学习要点】：本章主要介绍二极管和三极管的基本特性，重点讨论各种放大器的电路结构、工作原理及分析方法。学习本章时，应适当放慢学习速度，打好基础。把认识电路、掌握电路工作原理及元件的作用放在第一位。在此基础上，再理解电路的定量分析。本章内容十分重要，是全书的重点，望读者认真学习。 5.1 二极管和三极管 5.2 基本共射放大.3 共集放大器与共基放大器 5.4 负反馈放大器 5.5 直流放大器 5.6 功率放大器.7 放大器中的噪声 .1 二极管和三极管 一 半导体介绍 1. 本征半导体 本征半导体是指化学成分纯净的半导体。 半导体中有两种基本导电粒子，一种是电子，另一种是空穴。电子带负电，空穴带正电。 2. 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可形成杂质半导体。 杂质半导体可分为N型半导体和P型半导体两种。 3. PN结 在一块半导体上，一头做成P型，另一头做成N型，就会形成PN结。 1）PN结加正向电压就会导通； 2）PN结加反向电压就会截止。 PN结还具有一定的电容效应，这种电容称为PN结的结电容。 二. 二极管 1. 二极管的结构及符号 将PN结加上金属引脚和外壳后，就成了二极管，如图（a）所示，图（b）是它的符号。 二极管有点接触型、面接触型和平面型三大类。 二极管的基本特性就是单向导电性。 2. 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性是指二极管两端所加的电压与流过二极管的电流之间的关系，这种关系可以用伏安特性曲线来描述。 1）正向特性 当二极管两端所加的正向电压较小时，正向电流几乎为零，此工作区域称为死区。当正向电压增大到VF时，二极管开始导通，因此，常将VF称为门坎电压或死区电压（硅管的VF约为0.5V，锗管为0.2V）。当正向电压大于VF时，正向电流迅速增加（图中AB段），此时，二极管充分导通，呈现的正向电阻很小。 2）反向特性 当二极管两端加反向电压时，反向电流几乎为零，且在较大的范围内不随反向电压的变化而变化。但当反向电压增加到一定程度（VR）时，反向电流剧增，二极管反向击穿。故常将VR称为二极管的反向击穿电压。 3. 稳压二极管 稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性来实现稳压的。 稳压二极管总是工作在反向击穿状态，当其击穿后，只要限制其工作电流，使稳压二极管始终工作在允许功耗内，就不会损坏管子，所以，稳压二极管的反向击穿是可逆的，而普通二极管的反向击穿是不可逆的。 稳压二极管的动态电阻RZ实际上反映了稳压二极管的稳压特性，RZ越小越好。 利用稳压二极管给负载提供稳定电压时，一般要设限流电阻。 三.三极管 1. 三极管的结构特点 三极管又称晶体管，它由两个PN结构成。有NPN型和PNP型两类，它们的结构如图所示。 三极管有两个PN结，三个区，三个极。PNP型三极管是因其半导体排列顺序为P、N、P而得名的，它的中间层为N型半导体，上下层为P型半导体。同样，PNP型三极管也有两个PN结，三个区，三个极。在三极管的符号中，射极上标有箭头，代表电流方向。 在制作三极管时，三个区具有如下一些特点： 共3点，见教材 2. 三极管的电流放大作用 三极管的基本特性是电流放大性。 三极管具有电流放大能力的基本条件：发射结处于正向偏置状态，集电结处于反偏状态，参考下图。 1）发射区向基区发射电子的过程 因发射结处在正向偏置，故发射结会导通，发射区会向基区发射大量的电子，形成发射极电流IE，电流的方向与电子流的方向相反。 2）电子在基区中与空穴复合的过程 电子到了基区后，将有很小一部分与基区的空穴复合而消失，形成基极电流IB。 3）集电结收集电子的过程 电子到了基区后，绝大部分电子越过集电结，进入集电区。最终被集电区所加的正电压收集，形成集电极电流IC。因IC比IB大得多，可以认为IC是IB放大后的结果，这就是三极管的直流电流放大性。 4）三极管交流电流放大性 基极电流有一个很小的变化，集电极电流就有一个较大的变化，这就是三极管的交流电流放大性。 3. 三极管的电流放大倍数 对于一般三极管而言，在低频状态运用时，其，因而没有必要区分和β。 4. 三极管的偏置电路 为三极管的各极提供工作电压的电路叫偏置电路，它由电源和电阻构成。NPN管和PNP管的基本偏置电路，分别如图（a）、（b）所示。 四.三极管的特性曲线 1. 输入特性曲线 输入特性曲线是指三极管在VCE保持不变的前提下，基极电流IB和发射结压降VBE之间的关系。 由于发射结是一个PN结，具有二极管的属性，所以，三极管的输入特性与二极管的伏安特性非常相似。一般说来，硅管的门坎电压约为0.5V，发射结充分导通时，VBE约为0.7V；锗管的门坎电压约为0.2V，发射结充分导通时，VBE约为0.3V