碳化硅MOSFET的高温模型及关键工艺研究.pdfVIP

摘 要 摘 要 作为第三代宽禁带半导体材料代表之一，碳化硅由于具有优越的电学、热学 性质，因此在高温、高频及大功率场合下有广泛的应用前景。本文对 SiC MOSFET 器件的高温特性作了详细的研究，着重讨论了影响器件高温条件下输出特性的诸 多因素，并就目前的工艺水平对 SiC MOSFET 制作的关键工艺— 欧姆接触进行了 实验研究。 研究了 SiC 中载流子“冻析效应”、沟道迁移率及本征载流子浓度等在不同温 度下对 SiC MOSFET 阈值电压的影响；源漏接触电阻及 SiC 二极管反向饱和电流 随温度的变化关系。 论文提出了一个带温度补偿的 SiC MOSFET 解析模型。该模型通过将阈值电 压，体漏电流，源漏薄层电阻等在高温条件下对输出电流变化的影响等效为与源 漏沟道并联的等效电流源。通过对该模型仿真得到，高温条件下漏电流的变化主 要是由阈值电压的变化引起的，同时体内缺陷的存在导致在漏-衬端 Poole-Frenkel 效应明显，体漏电流不可忽略，并且随着温度的升高，其所占比例不断增大，逐 渐成为 Ids 的重要组成部分。 实验研究了 SiC 欧姆接触工艺。通过离子注入 4H-SiC 和直接采用高掺杂 4H-SiC 外延材料两种方法制备了欧姆接触，运用欧姆接触测试图形 TLM 结构欧姆 －5 2 －6 2 接触进行了测试，得到的比接触电阻分别为～10 Ω⋅cm 和～10 Ω⋅cm 。 关键词：碳化硅 补偿电流源 体漏电流 普尔-弗兰克效应 欧姆接触 Abstract Abstract As one of the so-called third generation semiconductor materials- Silicon Carbide, has very good electrical and thermal properties. These properties make SiC a preferred semiconductor for preparation of devices in the environments of high temperature, high frequency, and high power. In this thesis, our studies concentrated on the high temperature characteristic of SiC MOSFET, and the key process technology—ohmic contact have been investigated under the fabrication ability of our own. The relationship between threshold voltage and temperature are discussed by the study of carrier freeze-out effect, the channel mobility and the intrinsic concentration. And then, the temperature dependency of Source/Drain series resistance and SiC pn diode’s reverse leakage current are presented. An analytical model which accurately reproduces the I-V characteristics