第四章存储器接口.pdfVIP

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2017-07-05 发布于河南
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第四章存储器接口.pdf

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第四章存储器接口

内容 4.1 半导体存储器分类与指标第四章存储器接口 4.2 静态存储器与CPU连接 4.3 存储器译码逻辑设计 Gui Xiaolin 4.5 动态存储芯片与CPU连接 NeocomputerInstitute 4.6 只读存储芯片与CPU连接 Xi’anJiaotongUniversity 2 4.1 半导体存储器分类 4.1 半导体存储器性能指标双极型 TTL型速度很快、功耗大、工艺 ECL型容量小 • 性能指标电路结构 PMOS 功耗小、容量大 NMOS MOS型 CMOS （静态MOS除外） – 存储容量工作方式静态MOS • b、B 、KB 、MB 、GB、TB、PB 动态MOS – 读写速度静态存储器SRAM （双极型、静态MOS型）： • ns、us 存储信依靠双稳态电路内部交叉反馈的机 – 非易失性息原理制存储信息。功耗较大,速度快,作Cache。 • 100年动态存储器DRAM （动态MOS型）： – 可靠性依靠电容存储电荷的原理存储信息。 • MTBF 功耗较小,容量大,速度较快,作主存。3 4 一、静态CMOS存储器的工作原理 4.2 静态存储器（SRAM ） • D0 ～7数据线：传送存储单元内容。根数与单元数据位数相同。 • A0 ～9地址线：选择芯片内部一个存储单元。根数由存储器容量决定。一、静态CMOS存储器原理 • CS片选线：二、典型SRAM芯片介绍选择存储器芯片。三、存储器译码逻辑设计当CS信号无效，四、静态存储器与CPU的连接其他信号线不起作用。 • R/W(OE/WE)读写允许线打开数据通道，决定数据的传送方向和传送时刻。