3章逻辑门电路.pptVIP

第三章 逻辑门电路;本章主要内容： 1、了解半导体器件的开关特性。 2、熟练掌握基本逻辑门（与、或、与非、或非、异或门）、三态门、OD门（OC门）和传输门的逻辑功能。 3、学会门电路逻辑功能分析方法。 4、掌握逻辑门的主要参数及在应用中的接口问题。;逻辑门:实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。;CMOS集成电路: 广泛应用于超大规模、甚大规模集成电路;3.1 二极管及三极管的开关特性; 二极管的开关特性 ;; 二极管的伏安特性曲线;BJT的开关特性; 三极管的开关时间 ;　　门电路的概念： 实现基本和常用逻辑运算的电子电路，叫逻辑门电路。; 与门电路 ;用逻辑1表示高电平（此例为≥+3V） 用逻辑0表示低电平（此例为≤0.7V）;5. 逻辑符号 6. 工作波形(又一种表示逻辑功能的方法） 7. 逻辑表达式　　　F＝A B; 或门电路 ;4. 真值表; 二极管或门 （a）电路 （b）逻辑符号 （c）工作波形;二极管与门和或门电路的缺点;解决办法： 将二极管与门（或门）电路和三极管非门电路组合起来。; TTL集成逻辑门电路的输入和输出结构均采用半导体三极管，所以称晶体管—晶体管逻辑门电路，简称TTL电路。;输出级 T3、D、T4和Rc4构成推拉式的输出级。用于提高开关速度和带负载能力。;2. TTL反相器的工作原理;（2）当输入为高电平（?I = 3.6 V） ;（3. ）采用输入级以提高工作速度 ;（4.）采用推拉式输出级以提高开关速度和带负载能力;当?O=3.6V时;　　电压传输特性：输出电压uO与输入电压uI的关系曲线。; (1) 输出高电平UOH 　 典型值为3V。;多发射极BJT;工作原理 ;3.3.3 TTL或非门 ; ;vOH;A） 集电极开路与非门电路;最不利的情况： 只有一个 OC门导通，;当VO=VOH; 1、实现多个逻辑门输出端的线与;2、用于直接驱动大电流负载。;三态与非门(TSL ) ; ; ;CS = 1;;(2) 用做多路开关;; ;抗饱和TTL电路是目前传输速度较高的一类TTL电路 采用了肖特基势垒二极管SBD钳位方法来达到抗饱和的效果，一般称为SBD TTL电路（简称STTL电路） 利用金属（铝）和（N型硅）半导体相接触在交界形成势垒二极管的工作特点： 同PN结一样具有单向导电性（铝?硅）。 AL-SiSBD的导通阈值电压较低，约0.4-0.5V，比普通硅PN结约低0.2V。 势垒二极管的导电机构是多数载流子，因而电荷存储效应很小。;肖特基TTL与非门的典型电路;场效应三极管;　绝缘栅型场效应管;;开启电压 VTN 0;;;电压传输特性和电流传输特性;;CD 段：;;;;CMOS反相器的特点 ;当 ?I=VDD时 ;(2)CMOS反相器的工作速度较高 ;3.4.3 其他CMOS门电路;或非门;;4.输入保护电路和缓冲电路;（1）输入端保护电路:;1.CMOS漏极开路门;（2）漏极开路门的结构与逻辑符号;数据采集电路;1. CMOS传输门电路;2、CMOS传输门电路的工作原理 ; ;0;CMOS 集成电路的主要特点;四、CMOS 电路使用中应注意的几个问题;3.5 逻辑门电路的一些参数; 驱动门 ;;4. 功耗;1;0;;3.6.1 正负逻辑问题;;3.6.2 基本逻辑门电路的等效符号及其应用;或非门及其等效符号;;;;如RE、AL都要求高电平有效，EN高电平有效;1)驱动器件的输出电压必须处在负载器件所要求的输入电压范围，包括高、低电压值（属于电压兼容性的问题）。;灌电流;驱动电路必须能为负载电路提供足够的驱动电流;2、 CMOS门驱动TTL门;例 用一个74HC00与非门电路驱动一个74系列TTL反相器和六个74LS系列逻辑门电路。试验算此时的CMOS门电路是否过载？;总的输入电流IIL(total)=1.6mA+6?0.4mA=4mA;3. TTL门驱动CMOS门(如74HC ）;1、逻辑门电路的主要技??参数有输入和输出高、低电压，噪声容限，传输延迟时间，功耗，延迟–功耗积，扇入和扇出数等。 2、CMOS逻辑门电路是应用最为广泛的逻辑门电路。它集成度高，功耗低，扇出数大噪声容限亦大，开关速度较高。 3、BiCMOS是取MOS和TTL两者的优势，其开关速度较高，功耗亦较低。 4、TTL逻辑门电路是应用较广泛的门电路之一，TTL反相器的输入级、输出级可提高开关速度和增强负载的能力。 5、在逻辑门电路的实际应用中，有门电路与负载之间的接口技术问题以及抗干扰工艺问题。正确分析与解决这些问题，是数字电路设计工作者应当掌握的基本功。 6、用HDL可以对逻辑门电路描述，即进行开关级建模。