第十章 半导体物理课后习题解答(刘恩科第四版).pdfVIP

第十章 半导体物理课后习题解答(刘恩科第四版).pdf

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半导体物理习题解答 1-1.(P32 )设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量Ec (k )和价带极大值附近能量Ev (k )分 别为: 2 2 2 2 2 2 2 2 h k h (k k 1) h k 3h k E (k)= + 和E (k)= - ; c v 3m m 6m m 0 0 0 0 m 为电子惯性质量,k =1/2a;a =0.314nm 。试求: 0 1 ①禁带宽度; ②导带底电子有效质量; ③价带顶电子有效质量; ④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。 [解] ①禁带宽度Eg dEc(k ) 2 2h2 (k k ) 2h k 根据 = + 1 =0;可求出对应导带能量极小值Emin 的k 值: dk 3m m 0 0 3 k = k , min 1 4 h 2 由题中E 式可得:E =E (K)|k=k = k ; C min C min 1 4m 0 由题中E 式可看出,对应价带能量极大值Emax 的k 值为:k =0; V max 2 2 2 2 h k h k h 并且E =E (k)|k=k = 2 1 ;∴Eg=E -E = 1 = min V max min max 6m 12m 48m a 2 0 0 0 (6.62 1027 )2 = =0.64eV 48 9.11028 (3.14108 )2 1.6 1011 ②导带底电子有效质量mn d 2 EC 2h2 2h2 8h2 2 d 2 EC 3  ;∴ m =h / m n 2 0 dk 2 3m m

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