电沉积法制备CuInSe2薄膜光伏电池及添加剂的表面修饰作用论文.pdfVIP

2006年全国太阳能光化学与光催化学术会议专辑 于睿，任 通，李灿 411 41l 中国科学院，大连化学物理研究所，大连，116023，电话：+86传真：+86 E-mail：canli@dicp．ac．cn，主页：http：／／www．canli．dicp．aC．cn 摘要：CulnSe2薄膜光伏电池因其稳定、高效、低成本和环保等优点而受到广泛关注。本文 电镜以及循环伏安等测试。结果表明：热处理可使CulnSe2薄膜具有优先取向生长的趋势， 络合试剂TEA可使Cu2+的沉积电位负移，并可提高薄膜的均匀性和致密性。 关键词：CulnSe2；光伏电池；电沉积 1．引言 已受到全世界光伏工作者的普遍关注。目前实验室转换效率接近20％[1】，大面积集成组件 效率超过13％。铜铟硒吸收层的制备技术有真空蒸镀法、磁控溅射法、化学气相沉积法、 分子束外延法及喷雾热解法等。与上述方法相比，电沉积法具有制备方法简单、费用低、可 大面积生产、避免有毒气体源等优点，具有广泛的应用发展前景。目前使用电沉积法制备的 铜铟硒基光伏电池效率已达11．3％[2】。 材料的晶相结构、沉积电位以及络合剂对成膜质量的影响作了研究。 2．实验 采用一步电沉积法在ITO导电玻璃上制备了CIS薄膜，并在心气氛下进行退火处理以 TEA(三乙醇胺)，沉积电势．0．5V—．0．7V(相对于饱和甘汞电极)。 Research Applied 电极，饱和甘汞电极(SCE)作为参比电极。 3．结果与讨论 空白导电玻璃基底。结果表明，电沉积方法制备的CIS薄膜属于黄铜矿结构，热处理使薄 图lXRD谱图(a)空白ITO玻璃(b)电沉积的CIS薄膜 E垤．SCE(、，) 图2循环伏安曲线 (e)400c下Af气中退火30rain的CIS薄膜 298 2006年全国太阳能光化学与光催化学术会议专辑 为添加TEA(实线)和未加TEA(虚线)时2mMCuS04的循环伏安曲线，由图可知，TEA 的加入导致Cu2+离子沉积电势负移，促进Cu、In、Se三者的共沉积。 的平均电流密度逐渐下降，这说明络合试剂TEA可导致沉积速度下降。沉积速度下降有利 于形成颗粒较小的薄膜，改善薄膜性质。 Time(s) 图3CulnSe2薄膜的恒电位曲线． 的加入可提高成膜质量。 图4电沉积CIS薄膜的SEM图 4．结论 本文利用电沉积及随后的热处理技术可制备成膜质量较好的CulnSe2薄膜。络合试剂 性。 参考文献： characteristicsinstate·of-the—art solar [1lM．A．Contreras，“Diode ZnO／CdS／Cu(Inl《Gax)Se2cells”， in and Progressphotovoltaics：Reseachapplications，2005，13：209-216 thinfilmsolar cells [2]D．Lincot，“Chalcopyfite Energy byelectrodeposition”，Solar 77(2004)725-737 299