东南大学《材料分析技术》电子分析物理基础.pptVIP

材料分析技术 主讲 东南大学材料科学与工程学院 张耀 材料学院： Room 520 答疑时间：周一上午 zhangyao@ * 第二章 电子束分析 物理基础 2学时 透射电镜 4学时 扫描电镜 2学时 电子能谱 （XPS和俄歇）2学时 原子力与扫描隧道显微镜 2学时 电子束分析物理基础目录 历史背景 电子产生 电子控制：电子光学 电子与固态物质的相互作用 电子探测 历史背景 1897-99年，汤姆逊发现电子。 1925年，德布罗意提出电子的波动性。 1927年，电子衍射实验证明了电子波动性。 电子的波长 加速电压与电子波长的关系 目录 历史背景 电子产生 电子光学 电子与固态物质的相互作用 探测器 电子产生 热激发电子（2700K）, 阴极射线 （电压）场激发电子 热电子和场电子主要用于电镜的电子源 光（激发）电子 光电子主要用于光电子分析的探测信号 电子激发电子 详见电子与固态物质的相互作用 热电子枪 Thermionic Gun 加热灯丝(W灯丝)或晶体(LaB6), 在灯丝尖端产生电子云 使用带有光阑的阳极吸引电子, 并加速, 形成电子束 特征: 电子云直径(发射源直径)大, 需要大的聚焦 电子能量分布(色差)较大 低加速电压时, 光阑遮挡了大量电子, 有效束流很小 场发射电子枪 Field Emission Gun 使用强电场直接将电子从灯丝尖端拉出 特征: 发射源直径即灯丝尖端直径, 比W灯丝小103量级. 因此要求的聚焦倍数小. 电子能量分布(色差)非常小. 电子束亮度大, 比W灯丝大 103量级. 因此可以实现更小的成象束斑和低加速电压下成像. 场发射电子枪 Field Emission Gun 冷场发射枪：阴极为单晶钨丝，尖端半径约100nm，阴极尖附近的电场可达103V / um, 不必加热可发射电子。 Schottky（肖特基）场发射电子枪：阴极为ZrO / W，工作时需要加热到1800K。 电子枪特性比较 电子枪特性比较 目录 历史背景 电子产生 电子控制：电子光学 电子与固态物质的相互作用 探测器 电子在静电场(Electrostatic field)中的运动 电场对电子作用力的方向总是沿着电子所处的等电位面的法线，从低电位指向高电位 电子沿等电位面切线方向电场力的分量为零，即 v1sin ? =v2sin? 电子在静电场中的运动 因为： eV = ? mv2, v=(2eV/m)1/2 v1sin ? =v2sin? 所以有： sin ? /sin? =(V2/V1)1/2=n n—折射率 电场中等电位面是对电子折射率相同的表面； 当电子由低电位区进入高电位区时，电子的运动轨迹趋向于法线 静电透镜 Electrostatic lens 静电透镜：产生旋转对称的等电位面簇的装置 它可使电子束聚焦成像 有二极式、三极式 静电透镜的特点 不总是会聚透镜 需要很强的电场，在镜筒中易导致击穿和弧光放电 焦距不能太短 在电子显微镜中，用于电子枪中使电子束会聚 电子在磁场中的运动 电荷在磁场中运动时受到磁场的作用力－洛仑兹力 F=qv×B V与B同向，F为0，电子作匀速运动 V与B垂直，电子运动速度的大小不变，只改变方向，电子在与磁场垂直的平面内作匀速圆周运动 V与B斜交成一定角度时，电子的轨迹是一螺旋线 磁透镜 Magnetic lens 旋转对称的磁场对电子束有聚焦成像作用。 电子光学系统中，用于使电子束聚焦的磁场是非匀强磁场，其等磁位面形状与静电透镜的等电位面或光学玻璃透镜的界面相似 磁透镜：产生旋转对称磁场的线圈装置 短线圈：简单磁透镜，磁场强度小，焦距长，物与像都在场外 包壳磁透镜：环状间隙处有较强的磁场 极靴磁透镜 （电镜中使用）：极靴附近磁场很强，对电子的折射能力大，透镜焦距短 磁透镜的特点 分辩本领大 场深（景深）大 焦深长 焦距总是正的，总是会聚透镜 改变激磁电流，焦距和放大倍数变化，因此，磁透镜是可变焦距或可变放大倍率的会聚透镜 磁透镜的焦距和放大倍数 磁透镜的物距(object distance)、像距(Image distance)、焦距(Focal length）、放大倍数（Magnification）之间的关系为： 磁透镜的焦距 式中：k－常数 V－加速电压 (IN)－安匝数 I－通过线圈导线的电流， N－线圈每cm