场效应管基础知识-Read.PDF

7-1 场效应管基础知识 场效应管基础知识 1. 什么叫场效应管？ Field Effect Transistor 的缩写,即为场效应晶体管。一般的晶体管是由 两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双 极型晶体管,而 FET 仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型 晶体管。FET 应用范围很广,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用 FET 替 代。然而，由于FET的特性与双极型晶体管的特性完全不同，能构成技术性能非 常好的电路。 2. 场效应管的特征： (a) JFET的概念图 地址（ADD）：无锡市南长街 364 号 电话（Tel）：0510 网址（Http）：Http:// 传真（Fax）：0510 邮箱（E-mail）：tjhua@ 邮编（ZIP）：214023 7-2 场效应管基础知识 (b) JFET的符号 图1 JFET的概念图、符号 图1(b)门极的箭头指向为p指向 n方向，分别表示内向为n沟道JFET，外 向为p沟道JFET。 图1（a）表示n沟道JFET的特性例。以此图为基础看看JFET的电气特性 的特点。首先，门极-源极间电压以0V时考虑（VGS =0）。在此状态下漏极-源 极间电压VDS 从0V增加，漏电流ID几乎与VDS 成比例增加，将此区域称为非 饱和区。VDS 达到某值以上漏电流ID 的变化变小，几乎达到一定值。此时的ID 称为饱和漏电流（有时也称漏电流用IDSS 表示。与此IDSS 对应的VDS 称为夹 断电压VP ，此区域称为饱和区。 其次在漏极-源极间加一定的电压VDS (例如0.8V)，VGS 值从0开始向负方 向增加，ID 的值从IDSS 开始慢慢地减少，对某VGS 值ID =0。将此时的VGS 称 为门极-源极间遮断电压或者截止电压，用VGS (off)示。n沟道JFET的情况则 VGS (off) 值带有负的符号,测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难,在 放大器使用的小信号JFET时,将达到ID =0.1-10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。 关于JFET为什么表示这样的特性，用图作以下简单的说明。 地址（ADD）：无锡市南长街 364 号 电话（Tel）：0510 网址（Http）：Http:// 传真（Fax）：0510 邮箱（E-mail）：tjhua@ 邮编（ZIP）：214023 7-3 场效应管基础知识 图3 n沟道型结构图。 JFET的工作原理用一句话说，就是漏极-源极间流经沟道的ID ，用以门极 与沟道间的 pn 结形成的反偏的门极电压控制 ID 。更正确地说，ID 流经通路 的宽度，