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如何优化SAMV7xE7xS7x架构的使用
如何优化 SAM V7x/E7x/S7x 架构的使用
Atmel | SMART SAM V71/SAM V70/ SAM E70/SAM S70
介绍
此应用说明的目的是介绍 ARM® ® ®
Cortex -M7 处理器和 Atmel | SMART SAM
V71/V70/E70/S70 微控制器的架构,以及详细说明如何利用此架构的优势编写应用
代码,从而最大化设备性能。
第一部分将简要介绍 Cortex-M7 内核,并详细说明如何将其在 SAM
V71/V70/E70/S70 微控制器内实现。本文的第二部分将重点关注 SAM
V71/V70/E70/S70 设备的架构。应用说明的最后一部分将解释如何启用并恰当地
使用具体的特性。为了说明这些特性,还举了具体的示例:执行 FFT 计算的应用
代码将在不同内存成功执行,以便更好地理解对性能的影响。
AAtmel-44047A-ATARM-Optimize-Usage-SAM-V71-V70-E70-S70-Architecture-Application Note_08-Jul-15tmel-44047A-ATARM-Optimize-Usage-SAM-V71-V70-E70-S70-Architecture-Application Note_08-Jul-15
1. ARM Cortex-M7 处理器概述
ARM Cortex-M7 处理器是 Cortex-M 系列中的高端处理器,提供 5 个 CoreMark/MHz 和高达 630 的 DMIPS 。它是
性能水平最高的 Cortex-M 处理器,拥有若干新特性:
六段式超标量流水线,实现了指令的并行执行(双指令发射)
指令和数据紧密耦合内存(分别是指 ITCM 和 DTCM ),能够以处理器时钟速度访问,而且没有等待状态损
失和决定性行为
内部数据和指令缓存,可以在访问数据和执行内核外部内存的代码时补偿等待状态损失
DSP 扩展和单/双精度浮点单元 (FPv5) ,有扩展指令集 嵌入式跟踪模板 (ETM) ,有指令和数据跟踪能力
增加整体带宽的各类内存接口:
̶ 访问内存和外设的 64 位 AXI 主接口。此内存接口已经针对吞吐量进行了优化。
̶ 32 位 AHB 外设接口 (AHBP) ,访问低延迟外设,而不是内存(仅限外设数据访问)
̶ 32 位 AHB 从属接口 (AHBS) ,提供 DMA 和 TCM 之间的直接访问路径
̶ 32 位 AHB 调试端口,配备调试接口(JTAG 或 SWD 接口)
Cortex-M7 处理器以 ARMv7-M 架构为基础,因此与其他 Cortex-M 内存具有二进制兼容。
图 1-1 。Cortex-M7 处理器概述
1.1 六段式超标量流水线
Cortex-M7 处理器有按顺序的双发射六段式超标量流水线,并有分支预测。
双发射特性使得 Cortex-M7 处理器可以并行执行两条指令。流水线以可选浮点流水线为特色,所以浮点指令也可以
与整数指令一同发射。
此外,内存访问与计算可以交叉存取,从而减低延迟,与之前既无双重发射也无交叉存取的 Cortex-M 处理器相比,
这是一个重要提升。
整数 MAC 指令执行也有所提升,现仅花费一个循环,所以可以在任何适合情况下使用。这与花费二至四个循环的
浮点 MAC 指令相比,是一项重要提升。
因此,Cortex-M7 处理器在执行数学函数(FFT、FIR 等)时,是 Cortex-M4 处理器性能的一倍。
2 如何优化 SAM V71/V70/E70/S70 架构的使用 [应用说明]
Atmel-44047A-ATARM-Optimize-Usage-SAM-V71-V70-E70-S70-Architecture-Application Note_08-Jul-15
1.
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