贴片电容的介质分类(按温度稳定性)COG_X7R_Y5V_X5R_NPO.pdfVIP

贴片电容 COG,X7R,Y5V,X5R,NPO 介质区别 这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC 按温度稳定性分成三 类：超稳定级（工类）的介质材料为 COG 或 NPO；稳定级（II 类）的介质材料为 X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。 X7R 电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量 变化为 15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R 电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变 化，大约每 10 年变化 1%Δ C，表现为 10 年变化了约 5%。 X7R 电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可 以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。 COG,X7R,X5R,Y5V 均是电容的材质，几种材料的温度系数和工作范围是依次递减 的，不同材质的频率特性也是不同的。 NPO、X7R、Z5U 和 Y5V 的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于 填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容 量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选 用不同的电容器。 一 NPO 电容器 NPO 是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由 铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO 电容器是电容量和介质损耗最稳定的 电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为 0±30ppm/℃，电容量随频 率的变化小于±0.3Δ C。NPO 电容的漂移或滞后小于±0.05%， NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容 COG （Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。这种安装方式可以大大减小 LCD 模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的 LCD，如：手机， PDA 等便携式产品，这种安装方式，在 IC 生产商的推动下，将会是今后 IC 与 LCD 的主要连接方式。 相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的 变化小于±0.1%。NPO 电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的 特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了 NPO 电容 器可选取的容量范围。 NPO 电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。 二 X7R 电容器 X7R 电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量 变化为 15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 1 / 6 X7R 电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变 化，大约每 10 年变化 1%Δ C，表现为 10 年变化了约 5%。 X7R 电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可 以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表 给出了 X7R 电容器可选取的容量范围。 三 Z5U 电容器 Z5U 电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范 围，对于Z5U 电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷 单片电 容起来说在相同的体积下 Z5U 电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工 作条件影响较大，它的老化率最大可达每 10 年下降 5%。 尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电 阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路 的应用中。下表给出了Z5U 电容器的取值范围。 Z5U 电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 +10℃ +85℃ 温度特性 +22% -56% 介质损耗 最大 4% 四 Y5V 电容器 Y5V 电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到 85℃范围内其容量 变化可达+22%到-82%。 Y5V 的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达 4.7μ F 电容器。 Y5V 电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 -30℃ +85℃ 温度特性 +22% 82% 介质损耗 最大 5% 五，NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容。 COG （Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。这种安装方式可以大大减小 LCD 模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的 LCD，如：手机， PDA 等便携式产