水溶液法成长氧化锌薄膜及其薄膜电晶体制作-国立交通大学机构典藏.PDF

水溶液法成長氧化鋅薄膜及其薄膜電晶體製作 研究生：林偉祺 指導教授：張 立 博士 國立交通大學 工學院專班半導體材料與製程設備組 中 文摘要 本論文主要是研究以新穎且對環境無害的水溶液方法來成長氧化鋅 薄膜。本 實驗共分氧化鋅、氧化鋅摻雜鎂元素與氧化鋅添加銦元素等三部分，首先是用 自行研究的水溶液配方在玻璃基板上沉積ZnO 薄膜；第二部分則是在ZnO溶液 中摻雜 Mg元素，觀察摻雜Mg 元素對ZnO 薄膜的影響；第三部分則是在ZnO溶 液中添加In元素，並觀察添加 In 元素對ZnO 薄膜的影響。ZnO相關 薄膜成長後， 以原子力顯微鏡與掃描式電子顯微鏡觀察薄膜表面型態 ；X 光繞射儀(XRD)分 析薄膜晶體結構 ；X 光能量散射光譜儀分析薄膜組成；四點探針方式分析薄膜 電阻係數 ；紫外光-可見光光譜分析觀察薄膜穿透率情形 。最後在將上述三種 薄膜以黃光微影製程做成薄膜電晶體(TFT) 元件，並分析元件特性。 在ZnO 系統方面，首先將醋酸鋅 Zn(CH COO) 〃2H O溶在去離子水中，然後 3 2 2 在此水溶液中加入適量的非離子型界面活性劑，均勻混合後即可得到透明澄清 液 ，然後取適量旋轉塗佈在玻璃基板上，在預烤80℃與300~500℃溫度退火後 ， 見光之光譜分析後 ，此薄膜在 可得到 透明且連續的氧化鋅薄膜 ，經紫外光可- 光波長400~800nm的範圍其穿透率大於 85% 。 在Zn Mg O 系統方面，首先將醋酸鋅Zn(CH COO) 〃2H O與醋酸鎂 1-x x 3 2 2 Mg(CH COO) 〃4H O溶在去離子水中，然後在此水溶液中加入適量的非離子 3 2 2 i 型界面活性劑，均勻混合後即可得到透明澄清液，然後取適量旋轉塗佈在玻璃 基板上，在預烤與退火後，可得到透明且連續的氧化鋅摻雜Mg 薄膜，且XRD 分析所有Zn Mg O(x up to 0.4) 薄膜並沒有MgO 出現；經紫外光可-見光之光譜 1-x x 分析後 ，Zn Mg O 薄膜在光波長400~800nm的範圍其穿透率大於 90% 。 1-x x 在添加 In於ZnO (ZIO) 系統方面，首先將硝酸鋅Zn(NO ) ·6H O與硝酸銦 3 2 2 In(NO ) ·xH O溶在去離子水中，然後 以上述相同於ZnO與Zn Mg O的製程， 3 3 2 1-x x 可得到透明且 近乎連續的氧化鋅添加銦元素 薄膜，不過XRD 分析顯示在薄膜 中除了 ZnO外還有In O的相出現。 薄膜在光波長400~800nm的範圍其穿透率大 2 3 於85% 。 ZnO 、Zn0.9Mg0.1O與ZIO所製作在完成所有TFT元件後，皆有元件特性，其 2 -1 -1 中 ZIO TFT 元件的載子遷移率最高，可達0.8 cm V s ，是本實驗所有TFT元件 中最高的載子遷移率。 ii A Study of Growth of Zn