电针对脑缺血再灌注大鼠脑组织细胞线粒体膜电位及凋亡的影响.pdfVIP

维普资讯 针刺研究 2008年 4月 第 33卷 第 2期 电针对脑缺血再灌注大 鼠 脑组织细胞线粒体膜电位及凋亡的影响 陈小娱 张秋玲 白 波 (泰 山医学院神经生物学研究室，泰安 271000) 【摘 要】 目的：探讨针刺对脑缺血再灌注大鼠神经元保护作用的机制。方法：雄性 SD大鼠36只 ，随机分 为假手术组 (Sham)、脑缺血再灌注组 (CI／R)及脑缺血再灌注+电针组 (CI／R+EA)，每组 12只。采用改 良 线栓法制备局灶性脑缺血 (MCAO)再灌注模型。于再灌流开始后 ，CI／R+EA组 电针 “水沟”“百会”穴，电针 参数 ：频率 2～15Hz，间断疏密波 ，电流强度1mA，以局部肌 肉轻微震颤为度，时 间30min。以罗丹明 123 和 AnnexinV—FITC进行 荧光染色 ，通过流式细胞仪检测细胞 内荧光强度 ，分析脑组织细胞线粒体膜 电位及 凋亡发生率的变化。结果 ：CI／R组大鼠大脑 皮层细胞线粒体膜电位 明显低 于假手术组 (P0．01)，细胞凋 亡率显著升高(PO．01)；电针治疗后 ，线粒体膜 电位升高，细胞凋亡率受到抑制 ，与CI／R组比较差异有显 著性意义(P0．01)。结论 ：针刺治疗可明显减轻大鼠脑缺血再灌注损伤，上调神经细胞线粒体膜电位水平 可能是针刺抑制大鼠脑缺血再灌注后神经细胞凋亡的机制之一 。 【关键词】 脑缺血再灌注损伤 电针 线粒体膜 电位 细胞凋亡 【中图分类号】Q 244 【文献标志码】A 【文章编号】1000—0607(2008)02—0107—04 EffectOfElectrOacupunctureon M itochondrialM embranePotentialand Apoptosisin theCere— bralCortexinRatswithFocalCerebralIschemia／ReperfusionInjury CHEN Xiao-yu，ZHANGQiu-ling，BAIBo(DepartmentofNeurobiology，TaishanMedicalCollege，Taan271000，China) [ABSTRACT] Objective Toinvestigatetheeffectofelectroacupuncture(EA)onmitochondrialmembranepotentialand neuronalapoptosisinthecerebralcodexofratswithfocalcerebralischemia／reperfusion(CI／R)injury．M ethods Thirty-six maleSDratswereuniformlyrandomizedintosham operation (sham)，CI／RandCI／R+ EA groups．CI／Rmodelwasestablished bymiddlecerebralarteryocclusion (MCAO)andreperfusion．EA (2／15Hz，1mA)wasappliedto “Shuigou” (GV 26)and “Baihui”(GV20)for30minafterCUR．Themitochondrialmembranepotentialandneuronalapoptosisinthecerebralcortex(fron- to．parietallobes)ineachgroupweredetectedbyflow cytometer(FCM)．Results Incomparisonwithsham group，themito· chondrialmembranepotentialofCURgroupdecreasedsignificantly (PO．01)，whilecomparedwithCI／Rgroup，itincreased remarkablyinCI／R+EAgroup (PO．01)．ThepercentageofneuronalapoptosisinCI／Rgroupwassignificantlyhigherthanthat insham group (PO．01)，andthatofCI／R+EA groupwassignificantlylowerthanthatofCI／Rgroup (PO．01)．Conclusion