高发光强度的红外线LED元件.PDF

CS Features ◆ CS 精 選 高發光強度的紅外線LED元件 經封裝設計優化的LED元件可以成為一種具有更高亮度、 更高發光效率的先進光源。 Ä MARTIN BEHRINGER, MARKUS BRÖLL, JÖRG HEERLEIN, CLAUS J GER, THOMAS KIPPES； 歐司朗光電半導體公司 近主流LED產業的發展重點明顯是聚焦於人眼 最不易察覺的850nm波長的紅外線LED元件上。 發射可見光和紅外線光的LED都有著很多種的 應用，這些光源製造商們正試圖給LED的性能製定 一個新的基準，以便它們能在新的市場上獲得更大 的市佔率。 對於發射光波長為850nm的LED來說，一個最 為重要的市場就是給紅外線錄影機提供照明。紅外 線錄影機可用於監控、身份識別、以及工業圖像處 理等多種用途。除此之外，紅外線LED還可用於3D 系統和生物特徵識別等應用領域，這些應用將會在 下文「紅外線LED的發展機遇」章節中進行具體的 描述。 為 了更好說明LED光源的應用前景，Osram歐 司朗光電半導體公司的工程師團隊已經研製了多種 LED元件，隨之擴展形成了產品系列。我們已擁有 許多應用在850nm波長的LED光源元件，該波長的 紅外線光非常適合在紅外線錄影和姿態識別時的照 明應用。為了提高對人眼虹膜掃描結果的可靠性， 我們還為此設計了一款810nm波長的同類產品，並 且已經投入了市場使用。 在2008年，歐司朗將第一款採用Dragon封裝的 850nm波長大功率LED投到市場。到目前為止，我 們已經將元件在1A電流下的輸出功率從440mW提 升到800mW（如圖1所示），如再加上我們內部研 發的奈米叠層技術，元件就有可能實現更高的輸出 功率。如果在每個芯片中能包括兩個光發射單元， 公共場所的攝影監控等很多應用場合，為了達到最佳的影像品質而需要採用高功率的照 那麼單芯片LED的光輸出功率就能遠遠超過1W。 明，需要採用850nm波長的高功率紅外線LED光源。 2015 4 COMPOUND SEMICONDUCTOR TAIWAN 年第 期 　13 ◆ CS Features CS 精 選 在過去六年中，我們在元件的光輸出功率上取得了 功率紅外線LED元件。 明顯的進步，其中最大的一次是在2014年發布的Oslon 這款破紀錄的LED和它的前代產品都是基於AlGaInAs SFH4715A（如圖2所示）。這款產品將元件的光發射 薄膜技術來進行製造的（如圖3所示）。這種新的元件結 功率提升了30%，在這其中新芯片技術的開發占據了三 構在性能上超越了傳統的芯片結構，這種結構有著兩個 分之二的功勞，剩下的要歸功於對封裝的優化設計。這 主要的優點：由芯片本身吸收的光將會大大地減少，從 款產品的另一個貢獻是元件的電—光轉換效率達到了 而增加了光的輸出功率；還有就是幾乎所有的光都是從 48%，所謂的電—光轉換效率即是指元件所輸入的電能 LED芯片表面發射的，這樣就不需要在封裝中再加入光反 與其所輸出的光能的比值。如此高的能量轉換效率使得 射鏡。採用這個設計之後，該芯片的表面積就可與芯片 SFH4715A在1A工作電流下成為市場上具有最高效率的大 的光輸出功率成正比，對於我們的高功率芯片來說，其