第3章 晶体管应用电路(上半部分8学时)模拟电子技术及应用.pptVIP

例3-4 如图a所示分压偏置共射放大器，RB1=75kΩ、RB2=18kΩ、RC=4kΩ、RE＝1kΩ、RL＝4kΩ、VCC＝9V，三极管为硅管β＝50，（1）试求静态工作点Q；（2）若更换管子使β变为100，确定此时的静态工作点；（3）求Au，Ri，Ro（β＝100时）。 共射放大器特点小结 电压放大倍数较大，输出电压与输入电压反相；既有电压放大作用，又有电流放大作用； 输入电阻大小适中，一般为几kΩ； 输出电阻大小适中，一般为几kΩ。 又称电压跟随器或射极跟随器（射随器） 3.3 共集与共基放大器 3.3.1 共集电极放大器 １.直流通路与静态工作点 ICQ IEQ IBQ UCEQ B E C IBQ= ICQ=βIBQ IEQ=(1+β)IBQ UCEQ＝VCC－REIEQ 2.交流通路与主要性能参数 (1)电压放大倍数： (2)输入电阻： Ri＝RB//[rbe+(1+β)(RE//RL)] ≈ rbe+(1+β)(RE//RL)　　（高） (3)输出电阻： 其中： 一般满足：Au≈1 R0＝RE// （低） 共集放大器特点小结 电压放大倍数约等于１，但具有电流放大作用，输出电压与输入电压同相； 输入电阻高，一般为几十kΩ； 输出电阻低，一般为十几至几十Ω； 共集放大器又叫做电压跟随器，简称为射随器。 三极管共基极放大器 3.3.2 共基极放大器 １.直流通路与静态工作点 ICQ IEQ I1 I2 IBQ UCEQ B E C UBEQ＝0.3V(Ge管) UBEQ＝0.7V(Si管) UBQ= IEQ= IBQ= ICQ=IEQ－IBQ 静态工作点参数的估算公式 2.交流通路与主要性能参数 (1)电压放大倍数： (2)输入电阻： (3)输出电阻： 其中： Ri＝RE//rbe (低) R0＝RC (较高) 共基放大器特点小结 电压放大倍数较大，输出电压与输入电压同相；不具有电流放大作用； 输入电阻很小，一般为十几至几十Ω； 输出电阻适中，一般为几kΩ。 　第3章 上半部分完 第3章 晶体管应用电路 (共20学时) 学习目标: 　 晶体管(即半导体三极管)是具有放大作用的半导体器件，它是各种类型放大电路中的重要组成部分。通过本章学习，主要要掌握以下内容： 上半部分（8学时）： 1. 晶体管的基本特性及性能检测； 2. 晶体管放大电路的分析方法； 3. 共射、共集、共基三种放大器性能特点； 下半部分（12学时）： 4. 多级放大器的分析； 5. 差分放大器原理； 6. 功率放大器结构与原理； 7. 场效应管放大器的结构与原理。 本章内容 3.1 三极管工作原理(4学时) 3.2 三极管共射放大器(2学时) 3.3 三极管共集与共基放大器(2学时) 3.4 多级放大器(2学时) 3.5 放大器主要性能参数的测试(2学时) 3.6 差分放大器(2学时) 3.7 低频功率放大器(2学时) 3.8 场效应管放大器 (4学时) 3.9 项目设计(放大电路的设计) 本章小结 3.1 三极管工作原理 3.1.1 结构类型与电流关系 晶体管由两个PN结构成，根据PN结连接方法的不同，晶体三极管分为PNP型和NPN型两种。 (a)PNP型结构与符号 (b)NPN型结构与符号 晶体三极管在实际应用时，总要将它的三个极组成一个输入端和一个输出端，其中一个极为输入、输出回路的公共端。 晶体管的各极电流关系： IE＝IB＋IC 图3-4 晶体管输入特性与输出特性的测试电路 3.1.2 晶体管的特性曲线 当晶体三极管工作在放大状态时，集电极电流IC是基极电流IB的β倍，即 1.输入特性与转移特性 　　晶体管的输入特性是指以集-射电压uCE为参变量时，基极电流iB和发射结偏压uBE之间的关系，即输入特性函数为 iB＝f(uBE)|uCE＝常数 晶体三极管的转移特性指以集-射电压uCE为参变量时，集电极电流iC和发射结偏压uBE之间的关系。 2. 输出特性 晶体三极管的输出特性是指以基极电流iB(或发射结偏压uBE)为参变量时，集电极电流iC和集-射电压uCE之间的关系。 输出特性曲线可分为三个不同的工作区域：截止区、放大区和饱和区。 　例3-1　如图3-7a所示电路，晶体三极管V为硅管，β＝40，VCC＝6V，RC＝3kΩ，RB＝62kΩ。输入电压uI为方波脉冲：低电平UIL＝0V，高电平UIH＝4V。画出输入电压为高、低电平时的等效电路，并求相应的输出电压uO。 图3-7