第四章 双极型三极管.ppt

* 求放大倍数Av 、Ri和Ro 。 分别求C1 、C2、C3引起的电路下限频率fl1、 fl2、 fl3 =? RB1 C1 RE1 vi T1 RB2 +Vcc C2 C3 RE2 vo T2 RL RS VS * 4.7.3 单级放大电路的高频响应 一、 BJT的高频小信号建模 ①模型的引出 互导 e c b b rbe---发射结电阻re归算到基极回路的电阻 rbb ---基区的体电阻， ---集电结电阻 --发射结电容 ---集电结电容 混合?型高频小信号模型 rce rbe + + b c e b Cbe Vbe rbb Cbc rbc + * ②模型简化 一、 BJT的高频小信号建模 ①模型的引出 rce rbe + + b c e b Cbe Vbe rbb Cbc rbc + + b rbe + c e b Cbe Vbe rbb Cbc + * 又因为 所以 ③模型参数的获得 （与H参数的关系） 低频时，混合?模型与H参数模型等效 所以 又 rbe= rb + (1+ ? ) re 从手册中查出 一、 BJT的高频小信号建模 + b rbe + c e b Cbe Vbe rbb Cbc + rbe + + b c e b Vbe rbb + 图3.7.5 BJT的高频小信号模型 BJT的低频小信号模型 * ④?的频率响应 由H参数可知 即 根据混合?模型得 低频时 所以 当 时， 一、 BJT的高频小信号建模 + b rbe + c e b Cbe Vbe rbb Cbc + * ——共发射极截止频率 ?的幅频响应 令 则 ——特征频率 ——共基极截止频率 一、 BJT的高频小信号建模 ④?的频率响应 当β=1时对应的频率称为 特征频率fT，且有fT≈β0f? 当20lgβ下降3dB时,频率f? 称为共发射极接法的截止频率 * 2. 共射极放大电路的高频响应 ①?型高频等效电路 A等效电路 Rs Re Rc - + - + b c e + b rbe c e b Cbe Vbe rbb Cbc Rc + Rs (a) (b) 图 3.7.8 (a) 共射极放大电路的简化交流通路 (b) 高频小信号等效电路 * 对节点 c 列KCL得 B电路简化 忽略 的分流得 称为密勒电容 等效后断开了输入输出之间的联系 + b rbe c e b Cbe Vbe rbb Cbc Rc + Rs ZM + b rbe c e b Cbe Vbe rbb Rc + Rs CM * B电路简化 最后 + b rbe c e b Cbe Vbe rbb Rc + Rs CM * ②高频响应 由电路得 电压增益频响 又 其中 低频增益 上限频率 + c e b Vbe Rc + R C + * ③增益-带宽积 BJT 一旦确定， 带宽增益积基本为常数 * ②高频响应 列 e 点的KCL 而 所以电流增益为 其中 电压增益为 其中 特征频率 忽略 3. 共基极放大电路的高频响应 * ③几个上限频率的比较 ?的上限频率 特征频率 共基极上限频率 共发射极上限频率 共基极电路频带最宽，无密勒电容 3. 共基极放大电路的高频响应 * 单级放大电路波特图 综合：总电压放大倍数的复数形式为 * 多级放大电路的频率特性 二、 波特图 一、频率特性关系式 * 半导体三极管是由两个PN结组成的三端有源器件。有NPN型和PNP型两大类，两者电压、电流的实际方向相反，但具有相同的结构特点，即基区宽度薄且掺杂浓度低，发射区掺杂浓度高，集电结面积大，这一结构上的特点是三极管具有电流放大作用的内部条件。 三极管是一种电流控制器件，即用基极电流或发射极电流来控制集电极电流，故所谓放大作用，实质上是一种能量控制作用。放大作用的实现，依赖于三极管发射结必须正向偏置、集电结必须反向偏置这一条件的满足，以及静态工作点的合理设置。 * 多级阻容耦合放大器的特点： (1) 由于电容的隔直作用，各级放大器的静态工作点相互独立，分别估算。 (2) 前一级的输出电压是后一级的输入电压。 (3) 后一级的输入电阻是前一级的交流负载电阻。 (4) 总电压放大倍数=各级放大倍数的乘积。 (5) 总输入电阻 Ri 即为第一级的输入电阻Ri1 。 (6) 总输出电阻即为最后一级的输出电阻Ron。 由上述特点可知，射极输出器接在多级放大电路的首级可提高输入电阻；接在末级可减小输出电阻；接在中间级可起匹配作用，从而改善放大电路的性能。 * 例1：放大电路由下面两个放大电路组成。已知Vcc=15V ，R1=100k?， R2=33k? ，RE1=2.5k?，RC=5k?，?1=60，；