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- 2017-07-16 发布于北京
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微影技術I-曝光與顯影 ◆ 微影技術: Lithography ◆ 微影技術即為印刷製版技術,利用光罩將電路圖案轉移至光阻顯影,最後蝕刻完成。 ◆ 步進機是負責圖案曝光,是半導體製造裝置中最昂貴的裝置,且為高度精密光學儀器。元件製造中,包括利用步進機反覆進行二十到三十次曝光的微影工程,可說是半導體製程的中樞。 微影技術流程 光阻製程 ◆ 光阻的材料,通常是將感光性的樹脂成分溶解於有機溶劑中,利用旋轉塗佈將基板塗上一層光阻。 ◆ 光阻可分為負光阻和正光阻兩種,但由於解析度的關係,目前以正光阻為主流。 ◆ 負光阻是曝光的部位經聚合硬化後,將未曝光的部位溶解,得到曝光部位的顯像。 ◆ 正光阻利用不同的顯像液,改變可溶性的構造,選擇將曝光的部分溶解或聚合,顯像留下未曝光的部分。 ◆ 如圖為正光阻和負光阻的定義。 負光阻和正光阻的比較 負光阻和正光阻的比較 ◆ 欲形成相同的底膜圖案時,負光阻和正光阻使用黑白相反圖案的光罩。 ◆ 負光阻留下的光阻圖案 (曝光部分),受到顯像液的影響而膨脹,導致解析度降低。 ◆ 正光阻有穩定性、黏著性、使用不便等問題。但因具有高解析度,而選擇使用正光阻。因為光阻顯像時,對曝光和未曝光部分的溶解度差 (對比),必須非常敏銳。 ◆ 負光阻是含有具感光特性的化合物和環化橡膠類樹脂的有機溶劑,經光線照射後產生架橋反應,經重合、硬化,利用顯影劑形成不溶性鹼。也
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