离子注入硅片快速退火后的红外椭偏光谱研究方案.PDFVIP

第卷第期 年月 ５９ ３ ２０１０ ３ 物　 理　 学　 报 Ｖｏｌ．５９，Ｎｏ．３，Ｍａｒｃｈ，２０１０ １０００３２９０／ ２０１０／ ５９ ０３ ／１　６３２０６ （） ＡＣＴＡ ＰＨＹＳＩＣＡ ＳＩＮＩＣＡ ２０１０ Ｃｈｉｎ．Ｐｈｙｓ．Ｓｏｃ．  离子注入硅片快速退火后的红外椭偏光谱研究 １ ２ １  １ １ ）） ） ） ） 刘显明 李斌成 高卫东 韩艳玲　 　 　 ）（中国科学院光束控制重点实验室，中国科学院光电技术研究所，成都 ） １ 　 ６１０２０９ ２）（中国科学院研究生院，北京　 １０００４９） （２００９ 年５ 月１９ 日收到；２００９ 年６ 月１７ 日收到修改稿） 　 　 离子注入硅片经高温退火后晶体结构缺陷会被修复，其在可见光波段下的光学性质趋于单晶硅，常规的可见 光椭偏光谱法对掺杂影响的测量不再有效本研究将测量波段扩展到红外区域（— ），报道了利用红外椭偏 ． ２ ２０ ｍ μ 光谱法测量经离子注入掺杂并高温退火的硅片掺杂层光学和电学性质的方法和结果． 通过建立基于Ｄｒｕｄｅ 自由载 流子吸收的等效光学模型，得到了杂质激活后掺杂层的杂质浓度分布、电阻率和载流子迁移率等电学参数，以及掺 杂层的红外光学常数色散关系，分析了这些参数随注入剂量的关系并对其物理机理给予了解释研究表明，中远． 红外椭偏测量是表征退火硅片的有效方法，且测量波长越长，所能分辨的掺杂浓度越低． 关键词： Ｄｒｕｄｅ 红外椭偏光谱，离子注入， 模型，色散关系 ＰＡＣＣ：０７６０Ｆ，０７６５Ｇ，７８２０Ｄ，７８３０ 晶光谱，常规的可见光椭偏光谱（３００ ｎｍ ＜ ＜８００ λ ［ ］ １０ １ 引 言 ｎｍ）不再能分辨出这类掺杂样品 为了解完全退． 火激活后样品中杂质的分布情况，需要将椭偏光谱 本征半导体材料的导电性能很差，只有掺入了 测量范围扩展到对半导体载流子有强吸收的红外 少量杂质使其电学性能发生改变时才能用于微电 波段． ． ｐｎ 本文采用红外反射式椭偏光谱测量法对经 子器件制造掺杂是形成半导体 结的基础，而离 １１００℃ Ａｓ＋ 子注入是最重要的掺杂方法