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2010．7 中学物理教与学 _ c 话…AN…DL…EA—RNINGIN—HIGH～S…CH—OOL 再论安培力产生的微观机制 周栋梁 关于安培力产生的微观机制，有 以下 四种常见 矢量和。 观点。但是这些观点或多或少存在一些问题，甚至 依据：对于图2、3所示的通电导体 ，所有晶格受 是错误 ，本文在对其商榷的基础上，提出新的观点。 到的霍尔电场力的矢量和等于导体受到的安培力 ， 一 、 四种常见观点中存在的问题 证明从略。 1．磁场观 点… 通电导体所受的安培力等于导体内每个运动电 荷所受的洛仑兹力的矢量和。 ， y 图I 依据：考虑一般情况 ，以沿图I所示方向运动的 通电导体为研究对象，每个晶格受到的洛仑兹力为 eV1× (为简单起见 ，设每个晶格所带电量为 e，单 位长度内的晶格数为n，以下同)，每个 自由电子受 到的洛仑兹力为一e(y+ )×B，所有运动电荷受 到的洛仑兹力的矢量和为F，则有：F=∑ [eV1× 图3 丑一e(y+Vx)×B]=一∑ ×B。又因导体中 的电流 ，=，聊 ，由此可得F=ll×B。 基于这一原因，中学课本明确指出：安培力是洛 仑兹力的宏观表现 ，其值为作用在每个运动电荷上 洛仑兹力的合力，并据此导出了洛仑兹力公式。 ：fj1， 存在问题：它仅从数值上说明了安培力和洛仑 ● 兹力的关系，没有阐明运动电荷受到的洛仑兹力是 V 如何转化为安培力的。 图4 2．电场观 点 。【] 存在问题 ：此观点缺乏普遍性 ，仅适用于以上两 在磁场中的通电导体，做定向移动的自由电子 种特殊情况，对于导体按其他方式在磁场中运动时， 因受洛仑兹力作用而发生偏转，在导体内产生了霍 此结论不再成立。例如对图4所示情况，导体的运 尔电场，安培力就是所有晶格受到的霍尔电场力的 动方向与自由电子定 向移动方向相反，速率相等，则 · 57· ” ”“ 毒 中 物理教与学 PHYSICS TEACH IN GAND LEARNlNG lNH IGH SCH OOL 导体内没有霍尔电场产生，按电场观点，导体应不受 安培力的产生机制时，不能以晶格作为研究对象。 安培力作用 ，而实际情况是当导体与磁场垂直时，无 具体的类 比关系是：导体 中的晶格类 比于站在船上 论导体怎样运动，其所受的安培力都是 BH。由此可 固定位置的人，霍尔电场力类比于人与船间的摩擦 见，单纯从霍尔电场的角度是不能阐述安培力产生 力，安培力类比于使船运动的动力。显然人的脚无 的微观机制。 论用多大的力作用在船板上 ，也不能使船运动，与此 3．电磁 场观点 相互作用对应的是导体中的晶格与霍尔电