第五章电压型传感器5.pptVIP

5.5.4 集成霍尔传感器 其它半导体传感器 * * 将霍尔元件和测量线路集成在一起的新型霍尔传感器。 特点：可靠性高、体积小、重量轻、功耗低 按输出信号的形式分为：开关型集成霍尔传感器和线性集成霍尔传感器 开关型集成霍尔传感器：霍尔元件的输出经处理后输出一个高电平或低电平的数字信号。 线性集成霍尔传感器：把霍尔元件和放大线路集成在一起的一种新型霍尔传感器。 线性：测位移、测振动 线性集成电路(测位移、测振动) 应用 ：无触点开关 开关型：测转速、开关控制、判断N S极性 应用 ：天然气点火电路 应用 ：接口电路 1 磁敏传感器 磁敏元件也是基于磁电转换原理(将运动速度转换成感应电势输出),60年代西门子公司研制了第一个磁敏元件,68年索尼公司研制成磁敏二极管,目前磁敏元件应用广泛。 磁 敏 元 件 磁敏传感器主要有： 磁敏电阻； 磁敏二极管； 磁敏三极管； 霍尔式磁敏传感器。 磁阻效应：载流导体置于磁场中,除了产生霍尔效应外,导体中载流子因受洛仑兹力作用要发生偏转,载流子运动方向偏转使电流路径变化,起到了加大电阻的作用,磁场越强增大电阻的作用越强。 外加磁场使导体(半导体)电阻随磁场增加而增大 的现象称磁阻效应。 磁阻效应表达式： （1） 磁敏电阻器 由于霍尔电场作用会抵消洛伦兹力,磁阻效应被大大减弱,但仍然存在。 磁阻元件的电阻与形状有关： 长方形样品 扁条状长形 圆盘样品 所以：为了消除霍尔电场影响获得大的磁阻效应, 一般将磁敏电阻制成圆形或长方形。 长方形样品：霍尔电场作用FH,电阻变化很小。 扁条状长形：霍尔电势EH很小,电流磁场作用偏转厉害，效应明显。 圆盘样品：外加磁场时，电流以螺旋形路径指向外电 极，路径增大电阻增加。在圆盘中任何地方都不会积累电荷也不会产生霍尔电场。 磁敏电阻与霍尔元件属同一类,都是磁电转换元件,本质不同是磁敏电阻没有判断极性的能力,只有与辅助材料(磁铁)并用才具有识别磁极的能力. 磁图形识别传感器BS05A1HFAA,检测电路，工作电压5V，输出0.3—0.8v，被测物体3mm，可测磁性齿轮，磁性墨水，磁性条形码，磁带，识别有机磁性（自动售货机）。 磁敏电阻的应用 （2） 磁敏二极管 图6-1-1磁敏二极管结构示意图 1.结构：在高阻半导体芯片两端，分别制作P、N两个电极，形成P-I-N结。 粗糙的表面容易使电子-空穴对复合而消失，称为r面或r区 P、N都为重参杂区，本征区I的长度较长。 I区的两侧进行不同的处理，一面磨成光滑面，另一面打毛。 图6-1-2磁敏二极管工作原理示意图 2.工作原理 未受外界磁场作用时，外加正偏压，有大量的空穴从P区通过I区进入N区，同时有大量电子注入P区，形成电流，只有少量电子和空穴再I区复合掉。 受正向磁场作用时，电子和空穴受洛伦磁力作用向r区偏转，由于r区电子和空穴复合消失速度比光滑面I区快，形成的电流因复合速度快而减小 受反向磁场作用时，电子和空穴受洛伦磁力作用向光滑面偏转，电子和空穴复合率明显减小，形成的电流变大 利用磁敏二极管在磁场强度的变化下，其电流变化实现磁电转换 且高复合面与光滑面的复合率差别越大，磁敏二极管的灵敏度也越高。 磁敏二极管反向偏置时，仅流过很小的电流，几乎与磁场无关。 （3） 磁敏三极管 1.结构：在弱P型近本征半导体上，用合金法或扩展法形成3个结，发射结、基极结和集电结，基区较长，在长基区的侧面制成一个复合率很高的复合区r，r区对面是无复合的镜面，长基区分输送基区和复合基区。 图6-1-6 NPN型磁敏三极管的结构与符号 2.工作原理 未受外界磁场作用时，由于基区宽度大于载流子有效扩散长度，大部分载流子通过e-I-b形成基极电流，少部分载流子输入到c极，形成基极电流大于集电极电流，使β（Ic/Ib）1。 图6-1-7磁敏三极管工作原理 受正向磁场作用时，洛伦兹力使载流子偏向发射结的一侧，导致集电极电流显著下降； 受反向磁场作用时，载流子向集电极一侧偏转，使集电极电流增大。 磁敏三极管在正、反向磁场作用下，其集电极电流出现明显变化。 所以可以利用磁敏三极管来测量弱磁场、电流、转速、位移等物理量。 磁敏三极管与磁敏二极管相比，灵敏度更高是一种很有发展前途的新型磁敏器件，有着广泛的应用前景。 磁敏二极管和三极管在实际使用中受温度影响较大，必须进行温度补偿。 3 半导体集成传感器 把传感器芯片、温度补偿、信号处理与放大等电路集成在同一芯片上，构成单片集成传感器。 传感器的集成化，提高了传感器的性能和可靠性、降低了生产成本，减小了体积，而且便于与微处理器相