04 半导体导电性.pptVIP

半 导 体 物 理(Semic;第四章 半导体的导电性4.1 ;引言：半导体导电的微观机理 ;半导体的微观导电机理电子（空穴;4.1 载流子的漂移运动与迁;电流在材料内部分布不均：电流密;二、漂移速度与迁移率在外场作用;半导体中电流的大小可以用另一种;欧姆定律微分形式为 ;三、半导体的电导率和迁移率 ;通常用(Jn)drf和(Jp);§4.2 载流子的散射半导;散射对外场作用下载流子运动特征;为了具体描述散射对载流子运动特;§ 4.2.2 半导体中主要;§ 4.2.2 半导体中主要;半导体晶体中各种格波的振动方式;金刚石结构半导体晶体中沿[11;电子受晶格振动散射——电子与声;2、晶格振动散射——声学波散射;膨胀状态--原子间距增大压缩状;ABEcEv导带禁带价带Eg长;● 横波：影响小，不予考虑●;密疏密?疏长纵光学波振动示意图;长纵光学波离子晶体极化场 ;长纵光学波的散射几率：P0随温;其它因素引起的??射Ge、Si晶;半导体中主要的散射机构电离杂质;§4.3 迁移率与杂质浓度;则t~t+dt时间内被散射的电;4.3.2 电导率、迁移率;N型半导体P型半导体本征半导体;4.3.2 电导率、迁移率;硅中导带的六个能谷和它们的主轴;如果用μl 和μt 分别代表纵;则有mc称为电子的电导有效质量;4.3.3 迁移率与杂质浓度和;几种散射同时存在时,有:实际的;Si、Ge元素半导体中电离杂质;掺杂硅的迁移率随温度和电离杂质;右图为不同施主浓度硅晶μn与T;迁移率在低杂质浓度下达到一最大;小结低温和重掺杂时，电离杂质散;电导率与电阻率互为倒数，均是描;电阻率与杂质浓度和温度的关系ⅰ;ⅰ 电阻率与温度的关系： 杂质;ⅱ 电阻率与杂质浓度的关系：轻;当杂质浓度很高时，曲线偏离直线;如图所示为室温下硅及砷化镓所测;例2：一n型硅晶掺入每立方厘米;电阻率的测量其中CF表示校正因;4.6.1 欧姆定律的偏离和热;4.6.1 欧姆定律的偏离和热;4.6.1 欧姆定律的偏离和热;4.6.2 多能谷散射 负微分;4.6.2 多能谷散射 负微分;4.6.3 耿氏效应——微波器;本章总结描述半导体导电性的微观;1、室温下，高纯Ge的电子迁移