02半导体与其本征特征2.pptVIP

半导体及其基本特性;固体材料：超导体: 大于106(?cm)-1 导 体: 106~104(?cm)-1 半导体: 104~10-10(?cm)-1 绝缘体: 小于10-10(?cm)-1;1. 半导体的结构;半导体的结合和晶体结构;2. 半导体中的载流子：能够导电的自由粒子;+4;+4;电子：Electron，带负电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的自由电子，对应于导带中占据的电子 空穴：Hole，带正电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的电子空位，对应于价带中的电子空位;四、本征半导体中载流子的浓度;1. 半导体中两种载流子;3. 半导体的能带 (价带、导带和带隙);;价带：0K条件下被电子填充的能量最高的能带 导带： 0K条件下未被电子填充的能量最低的能带 禁带：导带底与价带顶之间能带 带隙：导带底与价带顶之间的能量差;半导体中载流子的行为可以等效为自由粒子，但与真空中的自由粒子不同，考虑了晶格作用后的等效粒子 有效质量可正、可负，取决于与晶格的作用;4.半导体的掺杂;1.1.2　杂质半导体; 本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。;+4;二、 P 型半导体;说明：;施主和受主浓度：ND、NA;施主能级;本征载流子浓度： n=p=ni np=ni2 ni与禁带宽度和温度有关;钉刊厕惑欺镶檬钎瑶啦颜庶郊褪喧志坍瑶霖涟茧陛篷锭色微淆藤旧殃择槽02半导体与其本征特征202半导体与其本征特征2;6. 非本征半导体的载流子;多子：多数载流子 n型半导体：电子 p型半导体：空穴 少子：少数载流子 n型半导体：空穴 p型半导体：电子;7. 电中性条件: 正负电荷之和为0;n型半导体：电子 n ? Nd 空穴 p ? ni2/Nd p型半导体：空穴 p ? Na 电子 n ? ni2/Na;8. 过剩载流子;9. 载流子的输运;影响迁移率的因素： 有效质量 平均弛豫时间（散射〕;扩散电流;过剩载流子的扩散和复合;描述半导体器件工作的基本方程;方程的形式1; 电流连续方程 ; 电流密度方程 ;爱因斯坦关系;重 点;;半导体器件物理基础;据统计：半导体器件主要有67种，另外还有110个相关的变种 所有这些器件都由少数基本模块构成： pn结 金属－半导体接触 MOS结构 异质结 超晶格;PN结的结构; 在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为 PN 结。 ; PN 结中载流子的运动;3. 空间电荷区产生内电场;5. 扩散与漂移的动态平衡;1. PN结的形成;2. 平衡的PN结：没有外加偏压;费米能级EF：反映了电子的填充水平某一个能级被电子占据的几率为： E=EF时，能级被占据的几率为1/2 本征费米能级位于禁带中央;二、 PN 结的单向导电性;　　在 PN 结加上一个很小的正向电压，即可得到较大的正向电流，为防止电流过大，可接入电阻 R。;　耗尽层;　　 当 PN 结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流， PN 结处于 导通状态； 当 PN 结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零， PN 结处于截止状态。 　　;IS ：反向饱和电流 UT ：温度的电压当量 在常温(300 K)下， UT ? 26 mV;四、PN结的伏安特性;五、PN结的电容效应;　　空间电荷区的正负离子数目发生变化，如同电容的放电和充电过程。;2. 扩散电容 Cd;自建势qVbi;3.正向偏置的PN结情形;正向的PN结电流输运过程;4. PN结的反向特性;;5. PN结的特性;6. PN结的击穿;§ 2.4 双极晶体管;双极晶体管的两种形式：NPN和PNP;双极晶体管的结构和版图示意图;漂浊茅烁唯鬃悯棵侥摊懒自炮阂猪括獭摄辨欧蟹硝它旧一变备痛肚郁邪圾02半导体与其本征特征202半导体与其本征特征2;1.3.1　晶体管的结构及类型;图 1.3.2(b)　三极管结构示意图和符号　　NPN 型;集电区;1.3.2　晶体管的电流放大作用;三极管内部结构要求：;实验;;b;b;2.3 NPN晶体管的电流输运机制;NPN晶体管的电流输运;2.3 NPN晶体管的几种组态;3. 晶体管的直流特性;3. 晶体管的直流特性;4. 晶体管的特性参数;4