第三章集成逻辑门06.pptVIP

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第三章集成逻辑门06

例:电路如图所示,标出输出电压的高低值 4. 扇入扇出系数 扇入系数Ni:逻辑门的输入端数。 制造时已确定 扇出系数No:一个逻辑门驱动同类门的个数。 3.4 三态门 三态输出门(简称三态门)是在普通门电路的基础上,增加控制端和控制电路构成。其电路结构图和逻辑符号如下图所示: 线或(Wired-OR) F=ae+be 总目录 退出 数字集成电路的分类 各种系列门电路的性能比较 数字集成电路型号的命名法 CMOS , ECL器件型号组成符号意义 TTL与非门的工作原理 TTL与非门的特性与参数 集电极开路(OC)门 三态门 CMOS逻辑器件 3.1 数字集成电路的分类 一.按工艺结构区分: 1.按工艺区分 IIL电路 54/74系列 54H/74H系列 54LS/74LS系列 54AS/74AS系列 54ALS/74ALS系列 CMOS电路 NMOS电路 PMOS电路 ECL电路 HTL电路 TTL电路 54HC/74HC系列 54HTC/74HTC系列 4000系列 Bi-CMOS型 MOS型 双极型 总目录 退出 目录 2.按输出结构区分 推拉式输出或CMOS反向器输出 OC输出或OD输出 三态输出 二.按集成度(单个芯片所含门的个数)区分: 1.小规模集成电路(Small Scale Integration,SSI,10门以下/片) 2.中规模集成电路(Medium Scale Integration,MSI,100门以下/片) 3.大规模集成电路(Large Scale Integration,LSI,1000门以上/片) 4.超大规模集成电路(Very Large Scale Integration, VLSI,10000门以上/片) 总目录 退出 目录 三.按数字系统设计方法分类: 总目录 退出 目录 1.通用型中规模(MSI),小规模(SSI)集成逻辑件。 2.由软件组态的大规模(LSI ),超大规模(VLSI)集成逻辑器件,如微处理器、单片机、通用和专用数字信号处理器等。 3.专用集成电路ASIC。 * * * 全定制 半定制 PLD PROM PLA PAL GAL CPLD FPGA 各种系列门电路的性能比较 总目录 退出 目录 3.2 TTL与非门 第一级V1多射级输入(与) TTL与非门的各级工作状态 总目录 退出 目录 工作原理 第二级V2反相 第三级V3—V5互补推挽输出 高电平3.6V 低电平0.3V 多射极晶体管的结构及等效电路 总目录 退出 目录 3.3 TTL与非门的特性与参数 ⒈电压传输特性 DE段(饱和区):Ui1.4V V2,V5饱和 UT :阀值电压1.4V UOFF : 开门电平 UON : 关门电平 总目录 退出 目录 AB段(截止区):Ui=0.6V V2,V5截止 BC段(线性区)0.6Ui1.3V V2导通,V5截止 V2输入电阻=R3 V2反相放大 CD段(转折区): 1.3 =Ui1.4V V2,V5导通 V2输入电阻=R3//Rbe5 V2的放大倍数增加 Ui ROFF—关门电阻=0.7K RON —关门电阻=2K TTL门输入电阻与输入电压的关系 RI0.7K时 UI=VL RI2K时 UI=VH 总目录 退出 目录 2.输入负载特性 3. 输出特性 ①与非门处于 输出低电平 ②与非门处于 输出高电平 TTL与非门输出低电平的输出特性 TTL与非门输出高电平的输出特性 总目录 退出 目录 (此时,IL为灌电流。 为保证UOL≤0.35V, 通常ILmax ≤25mA) (此时,IL为拉电流。 为保证UOH输出高电 平,通常IL ≤14mA) 总目录 退出 目录 5.平均延迟时间tpd tpd= (tPHL+tPLH) 1 2 总目录 退出 目录 3.3 集电极开路(OC)门 集电极开路的门电路(Open Collector Gate),简称OC门 。其电路结构和逻辑符号如下图所示: (a)集电极开路与非门电路 (b)OC门逻辑符号 B A F R3 R2 R1 B A F 总目录 退出 目录 OC门的输出端可以直接并联在一起,但需要外接电阻 OC门的并联处实现“线与” F=AB? CD=AB+CD C B F D A VCC 总目录 退出 目录 EN=1 F=AB EN=0 F为高阻 EN B F A VCC A B EN EN 总目录 退出 目录 总目录 退出 目录 A B EN F VCC EN A B EN

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