第7章 晶体管与其放大电路.pptVIP

第7章 晶体管及其放大电路 ; 7.1.1 晶体管的结构 7.1.2 晶体管的工作原理 7.1.3 晶体管的伏安特性 7.1.4 晶体管的主要参数 7.1.5 温度对晶体管特性和参数的影响 ;7.1.1 晶体管的结构;2、PNP型晶体管的结构和电路符号 ;7.1.2 晶体管的工作原理 ;(1)发射区向基区注入电子（C先断开） 在VBB作用下，发射区向基区注入 电子形成扩散电流IEN;;(3) 集电结收集电子 由于集电结反偏，所以基区中扩散到集电结边缘的电子在电场作用下漂移过集电结，到达集电区，形成电流ICN。;IC=ICN+ ICBO ; 2.电流控制作用 ;即共基极交流放大系数 近似等于共基极直流电流放大系数;7.1.3 晶体管的伏安特性 ;2.输出特性曲线;(2)饱和区（Saturation region） ;7.1.4 晶体管的主要参数;3.极限参数;（3）集电极最大允许耗散功率PCM;7.1.5 温度对晶体管的特性与参数的影响 ;（3）温度对输入特性的影响;7.2 放大电路的直流偏置;2．晶体管的分段线性模型;3．静态工作点的计算;4．基本偏置电路的缺点;7.2.2 电流串联负反馈偏置电路;静态工作点计算：; 7.2.3 电压并联负反馈偏置电路;静态工作点计算：;7.3 共射极放大电路;2. 电容耦合 ;7.3.2 晶体管的低频小信号模型;在静态工作点附近，微分量的系数是常数。令;2.h参数的物理意义;hfe是晶体管输出端交流短路（vCE=VCE→vce=0）时的正向电流传输系数（无量纲），等于电流放大系数?，约为102量级。;3.小信号模型的简化和参数的确定;rbe的计算：;7.3.3 放大电路的小信号分析;以电容耦合共射极放大电路为例阐述分析步骤。 ;画出小信号等效电路如下：;（2） 放大电路的参数计算;（2） 放大电路的参数计算;（2） 放大电路的参数计算;（3） 电压放大模型;例7.3 如图已知：晶体管是硅管，其β=50；VCC=12V，Rb1=40kΩ，Rb2=20kΩ，Rc=3kΩ，Re=2kΩ；C1= C1=10μF；vs=sinωt=sin2000πt，Rs=0.5kΩ；RL=12kΩ。试计算放大电路的增益、输入电阻和输出电阻；画出vs、vB、vC和vo的波形。;（3）小信号等效电路 ;（5）画出vs、vB、vC和vo的波形;例7.4 共射极放大电路如图所示。已知：晶体管是硅管，其β=50；VCC=12V，Rb1=40kΩ，Rb2=20kΩ，Rc=3kΩ，Re=2kΩ，Rs=0.5kΩ，RL=12kΩ。假设电容足够大，试计算放大电路的增益、输入电阻和输出电阻。;7.3.4 放大电路的大信号分析;2.晶体管的电压和电流波形 ;3.最大不失真输出幅度;4.非线性失真(以NPN型管为例);7.3.5 放大电路的组成原则;7.4 共集电极和共基极放大电路;2．动态分析 ;（2）电压增益Av和电流增益Ai;（3）输出电阻Ro;7.4.2 共基极放大电路; 2．动态分析 ;（2）电压增益Av;（3）输出电阻Ro;7.4.3 晶体管三种放大电路的比较;2.共射、共基、共集电路比较;放大电路三种基本组态的比较表 ;7.5组合放大电路;2.动态分析;2.动态分析;2.动态分析;7.5.2 共集-共集组合放大电路;1．四种复合管 ;（2）复合管的主要参数;（2）复合管的主要参数;2．共集－共集放大电路的动态参数;7.6放大电路的频率响应;7.6.1 晶体管的高频小信号模型和频率参数;忽略re和rc，得到晶体管的高频小信号模型：;2．混合π形模型的简化;混合π模型的单向化处理：;简化的混合π形模型;单向化后的混合π模型;3．混合π形模型参数与h参数的关系;7.6.2 晶体管的频率参数;计算电流放大系数;考虑到 ;由 的幅频特性和相频特性表达式： ;利用;7.6.3 共射极放大电路的频率响应;共射放大电路和全频段小信号等效电路： ;上式中，;2．高频电压增益 ;共射放大电路高频段小信号等效电路： ;则高频电压增： ;3．低频电压增益; 由完全等效图直接来求低频电压增益表达式会比较麻烦，因此，需要作一些合理的近似。 ;式中， ;扭柔塔节蹈憎伟刃皖剑凯糖芳蚂击劝哑陌多肄灶骗滦这曼家热比酱呐囊级第7章 晶体管与其放大电路第7章 晶体管与其放大电路;令： ;4．共射放大电路的全频域响应;当ffL时，是频率响应的低频区，;当ffH时，是频率响应的高频区，;5．增益带宽积;例7.7 在下图所示的共射极放大电路中，已知VCC=12V，Rs=1KΩ，Rb1=100 KΩ，Rb2=16 KΩ，Re=1KΩ，Rc= RL =5KΩ；晶体管是硅管，rbb?=100Ω，